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記事検索結果
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半導体製造装置部材などを手がけるファインカーボンでは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体市場の需要の取り込みなどを狙う。
大阪大学の山内和人教授らが考案した触媒基準エッチング(CARE)法により、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の基板を原子レベルで平坦化する装置...
スマートエナジー研究所(横浜市港北区、中村創一郎社長)は、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体に対応した回路シミュレーターを開発し...
その優れた半導体性能は、パワーデバイスとしての利用が広がる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をも凌駕(りょうが)するほどだ。 ...
現在はシリコンに代わる大電流特性や耐高温・電圧に優れた次世代半導体である炭化ケイ素(SiC)半導体を軌道に乗せようとする。
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
パワー半導体については、特に炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の生産能力拡大を急ぎ、23年に取得した宮崎第二工場(宮崎県国富町)の年内立ち上げを達成する。
放射線を変換する素子には「ニッケル―炭化ケイ素」の複合体を使い、大型放射光施設(SPring-8)放射光で原理を実証した。
大規模投資、宮崎で初の国内生産 世界的な脱炭素化の流れを追い風に市場が急拡大し、国内外の半導体メーカーが相次ぎ増産投資に踏み切る炭化ケイ素(SiC)パワー半導体。
「次期中計でグローバルのシステム統合のほか、人工知能(AI)などを用いた流通在庫の分析といった将来予測も参考にして、正確に経営判断ができる仕組みを整えたい」 ―炭化ケ...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)が次世代のパワー半導体の材料として注目されている中、β―Ga2O3はSiCやGaNと比べ、高性能なパワー半導体を製造できる可...
素材の持つ特徴から現在主流のシリコン(Si)より耐電圧特性などに優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などの次世代素材が着目された。 ...
炭化ケイ素(SiC)半導体など向けで良い効果を発揮する装置だが、事業的に大きく成長するのは、まだ少し先だろう」 ―半導体製造装置の環境負荷低減に取り組んでいます。&#...
直径200ミリメートルまでの炭化ケイ素(SiC)ウエハー用に24年にも高温処理が可能な試作機が完成予定だ。
世界的な環境意識の高まりを追い風に、電気自動車(EV)向けなどで需要が拡大する炭化ケイ素(SiC)パワー半導体。
「両社が個別に投資や生産をするよりも、ロームが炭化ケイ素(SiC)パワー半導体、当社がシリコンパワー半導体に重点的に投資・生産する方が投資効率が向上する。
このダイヤモンドと酸化ケイ素の界面を、炭素―ケイ素―酸素の順番で結合させ界面を作ることに成功した。炭化ケイ素の製造技術を利用でき量産性が見込める。 ... 横型MOSFETの最大ドレ...
