【津】東邦鋼機製作所(三重県四日市市、鈴木英資社長)は、三重大学と共同で開発したサファイア基板上窒化アルミニウム(AlN)テンプレートを発売した。サファイア基板上にAl...

研究グループはサファイア基板上に高品質の窒化アルミニウムを載せ、周期的なナノピラーを形成するなどし、その上に窒化アルミニウムガリウム系のレーザー構造を積層した。

窒化ガリウムなどサファイアとは異なる物質を基板上に成長させる「ヘテロエピタキシャル成長」が可能。... 同社によると半導体用途で12インチのサファイア基板を製造販売するのは業界で初めて。... サファ...

ナイトライドは有機金属化学気相成長(MOCVD)装置でサファイア基板上に成長させたInGaN系R、G、B、UVのマイクロLEDチップのサンプルキットを2023年1月から供給する。

(素材・医療・ヘルスケアに関連記事) 現在のGaN成膜は結晶性の良い膜を形成するCVD法が主流で、サファイア基板を用いたLED製造に使われている。...

表面に傾斜をつけたサファイア基板上にダイヤモンドを生成する技術により、成長過程でダイヤモンド膜に直接かかる応力を低減し、大口径化を実現した。

特許技術は波長385ナノ―400ナノメートル(ナノは10億分の1)のマイクロLEDチップでチップサイズを50マイクロメートル(マイクロは100万分の1)以下にし、表面加...

傾斜のあるサファイア基板を用いたダイヤモンドの生成技術により、直径2インチサイズの量産化に成功した。... 新技術は表面に傾斜をつけたサファイア基板上にダイヤモンドを生成する。

従来のサファイア基板と比べて表面に異物が少なく平たんで、次世代高速通信「5G」などに搭載する半導体や電子部品の高機能化に貢献する。... 同サファイア基板は基板表面の異物が1平方センチメートル当たり0...

作製ではサファイア基板上に、スパッタ法で窒化アルミニウム(AlN)の膜を平らに作製。

窒化アルミニウム(AlN)基板を使用しており、発振波長は271・8ナノメートル(ナノは10億分の1)。... 旭化成の子会社の米クリスタル・アイエス(ニューヨー...

これにより基板コストが5分の1に抑えられる。 GaNはパワー半導体材料として期待され、サファイア基板上にGaN結晶を作る方法などが実用化された。天野教授らのGaN基板の上にGaN結晶...

LEDチップのサファイア基板は、王子ホールディングスの開発技術を使用した。同技術は基板の光取り出し面に独自の微細な構造体を設けるもので、発光効率を向上できる。

加工サファイア基板上に高品質な窒化アルミニウム層を結晶成長させ、その上にn型窒化アルミニウムガリウム層と発光層、電子ブロック層、透明なp型窒化アルミニウムガリウム層を製膜した。

▽工研(厚木市、半導体や薄型ディスプレー製造装置用精密位置決め機構の製造)▽焼結合金加工(川崎市中原区、自動車や産業機部品の金型製造)▽信光社(横浜市栄区、発光...

サファイア基板やアルミナ基板、シリコンウエハーなどの高速微細加工への用途を見込む。

サファイア基板を使うのが主流だが、旭化成は窒化アルミニウム基板を採用した。サファイア基板に比べて結晶欠陥が大幅に少なく高出力化できる。

GaNをサファイア基板上に成膜するのがポイントで、従来のシリコン(Si)基板採用のGaNパワー半導体と比べ、定格電圧を2倍の1200ボルトに引き上げた。... これまでGaNパワー半導...

三菱ケミカルホールディングス(HD)傘下の三菱化学は、発光ダイオード(LED)照明の発光部に使う窒化ガリウム基板を増産する。... 窒化ガリウム基板は従来のサファイア基...

LED基板は、サファイア基板をベースに窒化ガリウム(GaN)と発光層を重ねて作っている。サファイアは絶縁性が高いため、GaNの層に電極を取り付けて通電する必要があった。... Ga2O...