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エレクトロニクス ニュース
(2017/1/10 05:00)
三菱化学や富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合研究所などの共同チームは、窒化ガリウム(GaN)のウエハー上にGaN素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発した。GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。日本は発光ダイオード(LED)の開発など...
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