エレクトロニクス ニュース

(2017/1/10 05:00)

三菱化学など、ウエハー上にGaN素子形成するパワー半導体で基礎技術

三菱化学や富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合研究所などの共同チームは、窒化ガリウム(GaN)のウエハー上にGaN素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発した。GaNパワー半導体は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の次世代技術。日本は発光ダイオード(LED)の開発など...

ATM各社、インド新紙幣対応急ぐ−巨大市場に好機

現金自動預払機(ATM)各社は、インドが新たに発行を始めた新紙幣への対応を急ぐ。富士通フロンテックや日立オムロンターミナルソリューションズ(東京都品川区)は20...

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ローム、車載液晶用チップセット開発−IC不具合時に警告、機能安全に対応

【京都】ロームは機能安全を導入した、車載向け液晶ディスプレー(LCD)用チップセットを業界で初めて開発し、1月から量産を始めた。スピードメーターやサイドミラー用...

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