- トップ
- 検索結果
記事検索結果
204件中、10ページ目 181〜200件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
これらの方法を用いるにあたって工夫されていることは、レーダーでは比誘電率の設定、電磁誘導では近接鉄筋の影響を補正することであり、これらの詳細は土木研究所のホームページに掲載されている。
32ナノメートルプロセスから、多くの電流を流せる『高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)』とリーク(漏れ)電流を抑える『メタルゲート』を採用する。... だが、富士通グル...
東芝やソニーなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
新基板は、次世代LSIに適用が見込まれている高誘電率の絶縁膜や、金属ゲート電極材料などと同等の効果が期待できるうえ、これらの技術との併用も可能という。
利昌工業(大阪市北区、利倉晄一社長、06・6345・8331)は、湿気を吸っても誘電率が低いままのため信号伝送を妨げにくいハロゲンフリー(臭素系難燃剤無配合)のポリフェ...
この32ナノメートル品のトランジスタゲートに大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある「メタルゲート」を採用し、電力消費...
値が低いほど高速伝送に適する比誘電率は一般的なFPCの素材であるポリイミドが3・5なのに対して新素材は2・5。電気エネルギーの損失度合いを示す誘電正接もポリイミドが0・015で、新素材は0・001と高...
東芝やNECエレクトロニクスなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、低誘電率の絶縁膜を使った...
32ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の次世代LSIでは、誘電率を低く抑えるために無数の穴が空いた絶縁膜材料を配線間に埋め込む。
従来と同じ原料ガスを用いながら、新たに低エネルギーの中性粒子ビームを照射することで低誘電率と高い硬度を両立した。... 32ナノメートル世代では誘電率2・1―2・5が要求されており、共同チームは開発し...
回路を一段と微細化した先端プロセス品ではICチップ内にあるトランジスタの配線に電気伝導率の高い銅配線が必要と判断した。... トランジスタ同士をつなぐ銅配線は、アルミニウム配線と比べて伝導率が高い&#...
同45ナノメートルでは、回路微細化と高集積化を実現するために「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」と「メタルゲート」を新たに採用した。
