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記事検索結果
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物質・材料研究開発機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の塚越一仁主任研究員、生田目俊秀統括マネージャーらは、理化学研究所ナノサイエンス研究施設の柳沢佳一テクニカルスタッフと共同で、次世代の金属酸化膜...
金ナノ粒子(ナノは10億分の1)表面を鎖状の分子で覆い、酵素が物質を取り込む方法と同様の機構を再現して活性を上げた。金ナノ粒子は化学的に安定なため、工業用途への活用が期待できる。...
技術移転の対象は微細な気泡、ナノバルの発生装置「ナノアクア」。10ナノ―300ナノメートルの微細な気泡を大量に発生させることができ、生物活性作用、酸化作用などさまざまな特性があるという。 &#...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)ナノ構造研究所微構造・界面解析グループの幾原裕美主任研究員らは、カーボンコイルの大きさをナノレベルで任意に制御する技術を開発した。コイ...
大阪府立大学21世紀科学研究機構ナノ科学・材料研究センターの飯田琢也講師らの研究グループは、光の対称性と強弱が変化する状況をつくれば、その「揺らぎ」を利用して、特定のナノメートルサイズ(ナノは...
【姫路】大成化研(兵庫県姫路市、松原賢政社長、079・293・2782)は、カーボンナノチューブ(CNT)を純水中に安定分散したエンジンオイル添加剤「ナノ墨=写...
研究グループは5ナノ―10ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜微小単結晶をつくり、その結晶に電気を流して表面を調べた。
露光装置はシリコンウエハー上にナノ(ナノは10億分の1)単位で回路を焼き付ける装置。... 【回路の微細化】 現在、最先端を行く半導体は回路線幅が20ナノメートル&#...
だが、液浸は回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)前半が限界と言われてきた。 ... インテルは回路線幅22ナノメートルプロセスからニコンに加え、ASMLの露...
東芝は技術研究組合BEANS研究所(東京都千代田区)、東京大学と共同で、次世代以降の半導体向けフォトマスク(半導体回路の原版)の描画・修正技術として、回路線幅50ナノメ...
カーボンナノチューブ(CNT)を使った電極に酸化チタンを被覆すると、被覆しない場合に比べて白金触媒の耐久性が1・2倍になる。... 筒状の炭素分子である直径約60ナノメートル(...
「10ナノメートル(ナノは10億分の1)レベルの加工精度を実現する工場」と胸を張るのはナカヤマ精密(大阪市淀川区)社長の中山愼一さん。
今回、その電極を最適化することによって、従来の10ナノメートル(ナノは10億分の1)以上のバルクCMOSと同等以上の出力電流特性を実現した。
東芝は、超低消費電力高密度集積回路(LSI)の実現に向け有力とされるナノワイヤトランジスタにおいて、基板にかける電圧を制御することで待機時の消費電力を従来の10分の1に低減できる10ナ...
回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の次世代半導体の実用化に向け、素子の漏れ電流や消費電力の低減などさらなる技術向上が目立つ。... スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合...
これにより、半導体の露光工程が簡略化され、10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下という微細な半導体回路パターン形成の実用化に近づく。
直径4インチのウエハーの表面粗さを0・429ナノメートル(ナノは10億分の1)に仕上げた。従来のウエハーの表面粗さは5ナノ―10ナノメートルで、新技術は10分の1程度に低減した。......
フラッシュマイコンに比べて最大5分の1の高速書き換え性能を持ち、データ領域の書き換え回数は10万回を実現する。メモリーセル書き換え10ナノ秒を達成した。
