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記事検索結果
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従来シリコンは均一な量子ドットの作製が難しく、材料コストがシリコンの10倍以上の化合物半導体を使う研究開発が主流だった。 ... 今回特に、直径10ナノメートル(ナノは10億...
接合する材料に、ナノスケールの厚さの鉄とシリコンの膜をつけて、互いに押しつけるだけで接合できる。... 鉄とシリコン層の厚さはそれぞれ1ナノ―2ナノメートル、10ナノメートル(ナノは10億分の...
先端技術研究所(神戸市須磨区、舘林恂社長、078・736・5029)と九州大学大学院の山本剛准教授は、石炭や都市ゴミの効率燃焼に使われる「流動層」という技術を応用し、大気中のナノサイズ...
鉄原子とニッケル原子で構成された合金の磁性ナノ粒子などを内包する。... 今回のカーボンオニオンは粒径10ナノ―200ナノメートル(ナノは10億分の1)程度。... この状態を保ったま...
9月に着工し、2012年10月から順次稼働する。... 新工場では電子部品の小型化・高密度化に伴い直径10ナノ―100ナノメートル(ナノは10億分の1)の新製品のほか、半導体メモリー用...
例えば、低い温度で軟らかくした金属ガラスに金型を使ってナノメートル(ナノは10億分の1)サイズの凹凸を付けることができれば、切削くずの発生を防ぎ材料の無駄も省ける。... さらに、磁力...
東芝は21日、半導体に描く回路の線幅が19ナノメートル(ナノは10億分の1)のNAND型フラッシュメモリーの量産を7―9月に始めると発表した。10ナノ台での製品化は世界で初めてという。...
従来、試験で使われてきた金を原料とする「金コロイド」に比べ、価格が10分の1と非常に安価な点を訴求して顧客開拓を進めている。 ... 直径が10ナノ―80ナノメートルに均一化された水...
電子ビームを用いて基板上に直径10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の金属粒子を形成できる装置を開発したエリオニクス(東京都八王子市)。
仏マクフィーエネルギーはナノスケール(ナノは10億分の1)の結晶構造を持つマグネシウムを使った水素吸蔵材料を開発した。... 開発した水素吸蔵材料は、大きさが10ナノメートルの結晶が集...
JSRは2日、半導体製造工程で、1回のフッ化アルゴン(ArF)光源露光で回路線幅(ハーフピッチ)20ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細加工を行...
NAND型フラッシュメモリーの回路線幅は現在、20ナノメートル(ナノは10億分の1)台だが、3年後には10ナノメートル台半ばに突入すると予想される。ただ、微細化が進展しすぎるとメモリー...
米ハーバード大学と米ミトレコーポレーションなどは微小な半導体ワイヤでできたトランジスタを組み合わせた超小型のナノプロセッサーを開発した。ナノメートル(ナノは10億分の1)サイズの部品を...
NTTは15日、ナノメートル寸法(ナノは10億分の1)のマシンの機械的な振動で演算を行う「ナノマシンコンピューター」の実現に向け、デジタル演算の新手法を開発したと発表した。... 現在...
【立川】エリオニクス(東京都八王子市、牧内昌幸社長、042・626・0612)は金属薄膜を溶融し、基板上に直径10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の金属粒子を形成...
エアロゾル粒子の計測の第一歩は大きさ(粒径)と量(濃度)の測定であり、粒径が10ナノメートル(ナノは10億分の1)よりも小さな、いわばエアロゾルナノ粒子...
