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記事検索結果
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かつて世界を席巻したものの、日本の半導体各社(総合電機)が相次ぎ撤退したDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)でも復活の兆しが見られる。 ...
DRAM中の元素分析では、従来機がノイズの影響で約10ナノメートル以下の細かい構造が明瞭に確認できなかったのに対して、同検出器はX線による元素分析で0・1ナノメートル近くの分解能が得られた。
国内のDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の製造前工程の生産能力に関して、最大4割を台湾子会社に移管する検討を始めたと公表した。
円高とDRAM不況が続いているため生産体制を見直す。汎用DRAMすべての生産設備を移管すれば国内の生産能力の約4割が国外に流出することになるが、現時点では「移管量や移設の時期は未定」(広報&#...
パソコン用DRAMの主力品のスポット価格も東日本大震災後、下落を続け、採算ラインとされる1ドルを割った状態が続く。... リョーサンはパソコン用DRAM、薄型テレビ用システムLSIが減少。
海力士半導体(Hynix)の中国におけるDRAM製品製造を算入しなければ、中国における多数のICメーカーは、いずれもウエハーのファウンドリー産業に従事しており、現地のICデザインハウス...
シリコンウエハーも、スマートフォン向け需要増に加え、DRAMの生産調整が終われば、7―9月には増加傾向になるとの見方もある。
今後のパソコンの出荷台数も弱含みで、DRAM価格も軟調で推移しそうだ。 ... 【収益圧迫】 DRAM価格の下落は各社の収益をすでに圧迫し始めている。... 悪化し...
ポストDRAMでは韓国・ハイニックス半導体がMRAMの開発を加速。DRAMと書き込み速度がほぼ同等で低消費電力なのが特徴だ。... ただフラッシュ、DRAMいずれも限界が見えつつある。
対照的に、東芝はDRAMから撤退、システムLSIも縮小路線を歩み、半導体の経営資源をNANDに集中させた。... 「圧倒的シェアを握りながら失敗したDRAMの経験もある。
250億円を2013年3月までに広島工場(広島県東広島市)に投じ、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)、25ナノメートルのDRAMの量産にあてる。
エルピーダメモリは27日、半導体に電極を通して重ね合わせるTSV積層技術を活用したDRAMのサンプル出荷を始めたと発表した。... DRAMは通常、横に並べてきたが、縦に積むことで、動作時の消費電力を...
エルピーダメモリは22日、世界最薄となるDRAMを開発、7―9月に量産出荷すると発表した。4枚のDRAMを積層したパッケージの厚さを従来より0・2ミリメートル薄い0・8ミリメートルにした。
