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点描/SiCパワー半導体競争激化 ローム、ウエハー軸に拡大 （2024/1/16 総合４）
海外では、米ウルフスピードやスイスのSTマイクロエレクトロニクス、独インフィニオン・テクノロジーズも投資を拡大中だ。
ルネサス、米ウルフスピードと10年間のSiCウエハー供給契約 （2023/7/6 総合３）
ルネサスエレクトロニクスは5日、米半導体大手のウルフスピードと10年間の炭化ケイ素(SiC)ウエハー(基板)の供給契約を締結したと発表した。... ...
深層断面/ドイツの「インダストリー4.0」車分野でデータ共有始動 （2023/6/26 深層断面）
活動自体の国際化も進展し、6月半ば時点での会員数は米企業も含め152社・団体。... 仏米に続き、日本に拠点も 国外での地域拠点の設置にも取り組み、フランス、スウェーデンに続いて、6...
深層断面/パワー半導体に再編圧力 経産省補助金、交付条件「事業規模2000億円以... （2023/3/10 深層断面）
米ウルフスピードも独に工場を建設し、研究開発拠点と合わせて30億ドル(約4000億円)を充てる計画。
NEDO、SiCウエハー技術育成 3件186億円支援 （2022/3/8 素材・医療・ヘルスケア２）
シリコン(Si)では日本の信越化学工業とSUMCOが世界をリードする一方、SiCウエハーは米ウルフスピード(旧クリー)が過半のシェアを持つ。
