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ロームは子会社のローム浜松(浜松市中央区)で22年に耐圧150ボルトのGaNデバイスの生産を開始。
GaNオンGaNウエハーは、GaN基板の上にGaNを積んで垂直に電気が流れる「縦型」のデバイスを実現でき、高耐圧で大電流対応に優れる点が特徴だ。
600ボルト程度までの中耐圧領域においてシリコン(Si)半導体を置換し、より低損失かつ小型化されたデバイスの実現に寄与することが期待されている。
「縦型でないとできないデバイス構造がある」(住友化学)ため高耐圧・高出力といったニーズに対応できるとみており、大口径化の開発にも取り組んでいる。
デバイス構造を見直すことで、耐圧1200ボルトながらエネルギー損失を競合品やローム従来品よりも低減した。
最低破壊圧力360・8メガパスカル(メガは100万)という高い耐圧性を持つフレキシブルチューブは、水素ステーションの試験用などとして研究施設に納入しており、今後、水素ステーションへの実...
当社は、超音波診断装置に搭載する送信ICや高耐圧スイッチICなど送信技術が強い。
TDKは高耐圧と高容量を両立した積層セラミックコンデンサー(MLCC)を開発した。... MLCCの内部にある電極間の距離を広げ、電極同士が重なる面積を大きくするな...
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
安価で軽量な樹脂製継ぎ手が増えて市場は縮小傾向だが、耐圧性が必要な高層の建物などで鋼管用継ぎ手の需要は根強い。
近年、自動車向けを中心に大容量・高耐圧に対応した導電性高分子ハイブリッドアルミ電解コンデンサーへの需要が高まっているという。
発売したのは低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ...
抵抗間に高耐圧ダイオード 大強度のイオンビームを加速すると、一般にビームは不安定になり、実験の実施に弊害が出る。日本原子力研究開発機構では、大強度イオンビームを安定化できる高耐圧のダ...
