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半導体再興へ大学の最先端研究(8)LSTCでも微細化追究（2024/1/25 科学技術・大学１）

CMOSは20ナノメートル台(ナノは10億分の1)世代までの平面型から現行の立体型FinFETと構造が変遷してきた。

応用物理学会、学術講演会19日開幕先端半導体の新技術続々（2023/9/18 科学技術・大学）

FinFETは3ナノメートルプロセスで微細化の限界を迎えると見て、IBMは2021年、ナノシート技術による2ナノメートルのチップを世界で初めて開発。

ラピダス、米IBMと戦略提携先端2ナノ半導体共同開発（2022/12/14 総合１）

魚のひれに似た電界効果トランジスタ(FinFET)のひれの部分を3本のワイヤに置き換えた構造。

明日の「そら」へ―JAXAのチャレンジ―(42)宇宙用部品の放射線対策（2022/3/21 科学技術・大学）

宇宙航空研究開発機構(JAXA)では、宇宙空間において限られたエネルギー資源を効率良く利用するため、電力の供給や制御が可能なパワーデバイスや、電力の供給がなくても記憶を保持することがで...

情報の流通量が急増する中、メモリー各社では積層構造にして記憶容量を高める3次元(3D)NAND型フラッシュメモリーや立体構造トランジスタ(FinFET)の需要が活性化。

経営ひと言/大陽日酸・小林邦裕執行役員「見極めが重要」（2017/10/3 素材・ヘルスケア・環境）

同じく、立体構造トランジスタ(FinFET)にも期待する。

活況!半導体材料/キーパーソンに聞く(3)大陽日酸執行役員・小林邦裕氏（2017/9/20 素材・ヘルスケア・環境）

「3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーや立体構造トランジスタ(FinFET)をけん引役に、材料ガスも3000億円程度の伸びを見込んでいる。

【電子版】IBM・GF・サムスン、線幅5ナノの半導体製造プロセスにめど（2017/6/6 特集・広告）

同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してき...

米GF、日本で売上高倍増狙う車・モバイル向け受託製造を拡大（2017/6/1 電機・電子部品・情報・通信１）

先端半導体では2018年4―6月期に回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)の立体構造トランジスタ(FinFET)を投入する。

韓国のサムスン電子は23日、3次元構造のFinFET(フィンフェット)で世界初の10ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用したマイクロプロセッサーを開発し...

いずれも最新のフィン型の立体構造トランジスタ(FinFET)を採用する。

今回、多結晶シリコンのFinFETを使い、ICの指紋を発生させる回路をチップの中に作る技術を開発した。

ルネサス、SRAMを30%高速化−自動運転支援狙う（2014/12/16）

「FinFET(フィンフェット)」と呼ぶ先端の半導体構造技術を応用し、同時に低電圧も実現。

産総研、22ナノ世代向けSRAM回路を開発（2008/12/18）

FinFETと呼ばれる立体素子で、今回新たに金属ゲート電極材料の物性にバラつきが存在することを発見した。これを解決するため、従来のフィン構造に、電流駆動力を調整する端子を加えた4端子型のFinFETを...

東芝・IBM・AMD、世界最小面積のSRAMセルを開発（2008/12/18）

東芝と米IBM、米AMDの3社は17日、フィン型の立体構造トランジスタ(FinFET)を使って、世界最小面積のSRAMのセル(最小構成要素)を共同で開発したと発表した。...

東芝は18日、32ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のLSIに向け、次世代の素子構造として期待される立体構造トランジスタ(FinFET)の消費電力を3分の1以下...