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記事検索結果
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ロームのGaNデバイス開発技術と、TSMCのGaN―on―Si(ガン・オン・シリコン)プロセス技術を組み合わせ、電気自動車(EV)への実装を推進する。 ...
デルタ電子(東京都港区、華健豪社長)は、ロームの窒化ガリウム(GaN)デバイスを搭載し、最大出力100ワットの給電が可能な急速充電器を12月に発売す...
AIサーバー需要捉える 東芝デバイス&ストレージはゲート端子に電圧を加えていない時に電流を流さない「ノーマリーオフ型」と呼ばれる窒化ガリウム(Ga...
一般的なGaNデバイスと比べ静電破壊耐量が約75%高く、製品の高信頼化につながる点などが評価された。GaNデバイスはサーバーや通信基地局の電源用途などで採用が進んでおり、ロームも市場開拓に取り...
最小ゲート入力パルス幅1・25ナノ秒で、GaNデバイスを高速スイッチングできる。... 過電圧入力によるGaNデバイスの故障を防ぐ。ローム製のGaNデバイスと組み合わせて回路を構成することで、回路設計...
これまで数百ボルト級の中耐圧デバイス向け製品が開発された。 ... QST基板を独自改良し、耐電圧1800ボルト以上のパワーデバイスや高周波デバイスに応用できる基板材料を開発。......
豊田合成は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の市場形成に向け、GaNの種結晶(種となる小さな単結晶)の量産試作を始める。... 同社は100キロ―1メガワット...
同社の電源開発技術と、ロームのパワーデバイス開発・製造技術を組み合わせ、2022年度中の開発完了を目指す。 共同開発するGaNデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に...
【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の量産体制を整えた。生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、15...
2030年までにGaNデバイス市場が約1000億円に上ると試算。... ロームはGaNデバイスで後発。... ローム浜松ではGaNデバイスを最適に制御する周辺ICを製造できる。
発光ダイオード(LED)では、この転位は機能を大きく阻害しないためGaNの発光応用を実現する上で障壁にならなかった。... GaNデバイスを3度の傾斜で削れば、深さ方向は約20倍に拡大...
子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。... サンプル価格...
9月から同技術を生かした同社初となるGaNデバイスのサンプル出荷を始め、2022年の量産を目指す。... GaNデバイスはシリコンデバイスと比べ、スイッチング損失を大幅に低減でき、基地局、データセンタ...
窒化ガリウム(GaN)デバイスと低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板を応用することで小型化した。... GaNデバイスを採用することで、従来のシリコン系デバイスより...
日本企業から年1兆円以上の部品を調達しており、電子デバイスメーカーへの影響が懸念される。 ... 住友電気工業は5G対応携帯基地局向けの窒化ガリウム(GaN)デバイス...
住友電気工業は10月にも、高速・大容量、低遅延の第5世代通信(5G)を進化させた携帯電話通信網「5G+」向けに、窒化ガリウム(GaN)デバイスの次世代品を投入す...
住友電気工業は2021年、米国で第5世代通信(5G)向け窒化ガリウム(GaN)デバイスの生産を始める。同社がGaNデバイスを海外生産するのは初めて。... 住友電工は携...
大陽日酸は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーデバイス向けに、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発した。... 現在の主流であるケイ素(...
大陽日酸は三塩化ガリウム―アンモニア反応系を用いたトリハライド気相成長法(THVPE法)を活用し、高速、高品質で連続成長が可能な窒化ガリウム(GaN)結晶製造装置を開発...
