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米ハワイで集積回路シンポ AIブーム追い風、論文最多897件（2024/4/29 科学技術・大学）

“半導体のオリンピック”と呼ばれ、米国で開かれる国際固体素子回路会議(ISSCC)は回路技術、同じく米国で開かれる国際電子デバイス会議(IEDM)はデバイス技術を中心に...

東北大など、AI計算を高速・超低電力診断・気象予測に応用（2024/1/11 科学技術・大学２）

米サンフランシスコで開かれた国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

半導体再興へ大学の最先端研究(6)AIコンピューティングで脚光（2023/12/22 科学技術・大学）

一方、近年は人工知能(AI)計算に応用できる酸化ハフニウム系強誘電体からなる強誘電体トランジスタ(FeFET)を用いた「物理リザバーコンピューティング」の研究が注目され...

キオクシア、半円形セルを開発 3Dフラッシュメモリーの大容量化実現へ（2019/12/12 科学技術・大学）

米カリフォルニア州サンフランシスコで開催中の電子素子に関する国際会議IEDMで11日に発表した。

三菱電と東大、SiCパワー半導体素子開発電磁ノイズ耐性向上（2018/12/5 科学技術・大学）

米カリフォルニア州サンフランシスコで開催中の電子デバイスの国際学会IEDM2018で発表した。

電子デバイス・材料分野の国際会議が50周年新価値創出に期待（2018/9/7 科学技術・大学）

類似する学会として挙げられる米国のIEDMは1500人程度の規模で同様の学会の中では最も大きく、デバイスの性能向上に関する研究が多い。

窒化ガリウムパワー半導体実用化へ東芝がプロセス技術開発（2017/12/6 総合１）

米サンフランシスコで開催中の「国際電子デバイス会議」(IEDM)で6日に発表する。

ルネサス、16/14nm世代の自動運転用メモリー開発−処理性能4倍（2016/12/7 総合１）

米サンフランシスコで開かれている「国際電子デバイス会議(IEDM)」で発表する。

シリコン製パワートランジスタ、微細化で性能向上−東工大が実証（2016/12/7 科学技術・大学）

「国際電子デバイス会議(IEDM)」で発表する。

ゲルマニウムトランジスタ、シリコン並み性能を実現−東北大など、製造法確立（2016/12/6 科学技術・大学）

米サンフランシスコで開かれている「国際電子デバイス会議(IEDM)」で発表する。

トンネルFETで集積回路−産総研、動作速度2倍に向上確認（2016/12/5 科学技術・大学）

米IEDMで発表する。

富士通研、グラフェン使用のガスセンサー開発−18年度以降に実用化（2016/12/5 科学技術・大学）

米サンフランシスコで開かれている「国際電子デバイス会議(IEDM)」で6日発表する。

深層断面/微細化に陰り、どうなる「ムーアの法則」-半導体開発・最前線（2016/6/14 深層断面）

「半導体のオリンピック」と呼ばれる国際固体素子回路会議(ISSCC)は回路技術のみ、国際電子デバイス会議(IEDM)はデバイス技術のみを扱う。

産総研、ICの指紋で偽造防ぐ作製技術を開発−チップに固有番号、認証性能3倍以上（2015/12/7 科学技術・大学）

7日から米ワシントンで開かれる「国際電子デバイス会議(IEDM)」で発表する。

トンネルFET、MOSFETの10万倍以上長寿命−産総研実証（2014/12/17）

米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。

産総研、n型多結晶ゲルマニウム素子の電流駆動力10倍に−LSI3次元積層に道（2014/12/16）

米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。

早大、GPUで粒子ベースの半導体シミュレーター開発−MOS集積限界特定（2014/12/16）

米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。

早大、1600ボルトの世界最高耐圧を持つダイヤ製トランジスタ開発（2014/12/16）

米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。

LEAPなど、データセンターSSD用の新型相変化素子を開発（2014/12/15）

成果は15日から米サンフランシスコで開かれる国際電子デバイス会議(IEDM)で発表される。

国際電子デバイス会議が米で開幕−注目集める日本の技術、最先端トランジスタ発表（2014/12/15）

米国のサンフランシスコで15日、半導体デバイス分野で世界的に権威ある国際学会「国際電子デバイス会議(IEDM)」が開幕する。

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