欠陥を極めて少なくするには幅を10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下に抑える必要があるとされる。 そこで名古屋工大は、ナノメートルサイズのペプチドと化合物を利用して幅10ナ...

NANDフラッシュ市場は昨夏以降、需要が供給を上回る状況が続き価格が10%程度上昇。... NANDフラッシュは数年後に迫る10ナノメートル(ナノは10億分の1)台で微細化の限...

【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...

アルミニウムをテストピースに、塗膜の厚さを10ナノメートル(ナノは10億分の1)として2キロカロリーの熱量を与えた温度分布比較では、従来のポリイミド系塗膜は平均温度が82度Cで分布もバ...

この状態を保ったまま、20時間程度10キロボルトの電圧で直流電場をかける。... さらにファイバーに電子顕微鏡で電子線を10秒弱当てると、炭素原子とニッケル原子が結晶化する。炭素原子は、直径10ナノ―...

【連続で処理】 ナノ構造制御マテリアルグループは、ニイガタマシンテクノと共同して高いせん断応力を付与できる全自動で小型の成形加工装置を開発した。... この構造は分子鎖の塊が10ナノメートル前...

鉱物油と酸化鉄でできた直径約10ナノメートル(ナノは10億分の1)の磁性粒子との混合物を紙に染み込ませ、生体適合性を持たせた樹脂フィルムで表面をコーティングするだけ。

この結果、入射した波長820ナノメートル(ナノは10億分の1)のレーザー光が、波長12・8ナノメートルから22ナノメートルの範囲の極端紫外光(波長が10ナノ―100ナノメートル...

慶応義塾大学は、顧客とインターネットサービスプロバイダーまでの通信網であるアクセス系システムに利用する毎秒10ギガビット通信対応の次世代超高速光スイッチを開発した。... 酸化化合物材料を光導波管に埋...

従来のシリコン製パワートランジスタより耐圧が10倍で約3倍の高速性を持ち、エネルギー損失が少ない。... 電流を遮断するしきい値電圧のバラつきは従来比10分の1、オン抵抗はシリコン素子の20分の1に減...

東京大学の藤田誠教授らは、直径2ナノ―4ナノメートル(ナノは10億分の1)のシリカ粒子をほぼ狙った大きさに合成できたと発表した。... 従来技術では10ナノメートル径のふぞろいな粒子し...

また宇川教授は「スパコンは4、5年で10倍の性能向上を続けている。... 今田正俊東大教授は「最先端半導体開発に必要な10ナノメートル(ナノは10億分の1)の量子力学シミュレーションは...

レーザー波長は532ナノメートル(ナノは10億分の1)。... 最大150キロヘルツの高繰り返し性と、約10ナノ秒の短パルス幅を実現。

オランダASMLは半導体露光装置のシェア目標を現状比約10ポイント増の70%超に設定した。... ASMLがEUVの適用を見据えるのは回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1...

NAND型フラッシュメモリーでは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)台、DRAMでは40ナノメートル台の生産が本格化する。ただ、従来技術の延長線ではフラッシュでは10ナノ台、...

同社のメーンはデジカメ、携帯電話の筐体など10マイクロ―15マイクロメートル(マイクロは100万分の1)精度の金型だが、彼の技はさらにその上を行く、DVDなどに使う光学ピックアップなど...

シリコン基板上に、自然に構造を形作る自己組織化の性質を生かし直径12ナノメートル(ナノは10億分の1)の鉄を核とするたんぱく質を並べる。これをマスクに微細加工し、中性粒子ビームでエッチ...

2009年度まで10年間、科学技術振興機構(JST)が支援する国家プロジェクトでネオシリコンの研究が積み上がってきた。... ネオシリコンは寸法が10ナノメートル(ナノは10億...

東芝と米サンディスクは2010年後半から回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のNAND型フラッシュメモリーを量産する。... 東芝―サンディスクは「10年後半には24ナノに...

ここに混合溶液を滴下すると、描画した個所だけ直径数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の金ナノ粒子が高密度で集積する。約80度Cで10分程度乾燥させてできあがる。... 基板上には太さ...