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記事検索結果
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パナソニック電工ネットワークス(東京都港区、村瀬耕太郎社長、03・6402・5300)は、全ポートがギガビットイーサネットに対応したスイッチングハブ「スイッチM16eG」を3月28日に...
3ボルト以下の低電圧領域で必要だったスイッチングトランジスタのゲート駆動用昇圧回路(チャージポンプ回路)なしで、1・8ボルトまでの駆動を可能にした。
TDKラムダ(東京都中央区、広田嘉章社長、03・5201・7140)は発光ダイオード(LED)方式の広告看板や装飾照明向けに小型のAC/DC(交流&#...
【宮城産業人クラブ会長(工藤電機会長) 工藤治夫氏】 ○品質・コスト意識の徹底で10年9月期決算がリーマン・ショック以降、初の増収増益 ○自...
鳥海教授らは、トランジスタのスイッチング性能を決める移動度が世界最高の、ゲルマニウムを使った絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(FET)を開発した。
アルミニウムを用いたボンディングは従来の半導体だけにとどまらず、ハイブリッド車(HV)用パワーコントロールユニットの中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジ...
これにより、安定的にかつ低消費電力で駆動する光スイッチング素子やレーザーなどの半導体非線形デバイスの開発が期待される。
若手研究者による基礎科学研究を対象とする基礎科学研究助成は東京工業大学大学院理工学研究科の木口学准教授による「単一分子接合の外部摂動によるスイッチング機能の発現」など91件。
シリコン以外の新物質でスイッチング素子を作るためには、薄膜の電子状態にバンドギャップを形成することが望ましい。
一方向だけに電流を流す半導体素子のダイオード整流素子をダイヤで作り、基本性能であるスイッチング特性などを測定。... 今回、ダイヤモンドダイオードの整流素子を作製し、デバイスの温度変化の影響を受けない...
