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記事検索結果
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メモリーICとして主流のDRAMやNAND型フラッシュメモリーは、回路線幅を20ナノメートル台まで微細化するのが構造上難しい。
東芝は携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーに回路線幅32ナノメートルの次世代プロセスを採用する。... ルネサステクノロジは「次世代半導体では資産圧縮(ファブライト)...
東芝はNAND型フラッシュメモリーを3割減産し、08年末に20―30%の供給過剰にあった需給バランスを1月末に需給均衡に戻した。「08年末にはNANDフラッシュ内蔵のUSBメモリーの在庫が客先...
【メモリー/品種で違うシナリオ】 「今年後半に在庫調整が進展し、NAND型フラッシュメモリーの需要は回復に向かう」(西田厚聰東芝社長)。... パソコンのメーンメモリ...
これにより、NAND型フラッシュメモリーは08年12月に120―130%だった需給バランス(20―30%の供給過多)を需給均衡の100%まで改善した。
東芝と米サンディスクは共同で、メモリーの最小構成単位である1個のメモリーセルに、8値(3ビット)と16値(4ビット)のデータを蓄積できる2種のNAND型フラッシュメモリ...
会津若松工場(福島県会津若松市)に敷設した先端ラインへの投資負担に、プログラム格納などに用いるNOR型フラッシュメモリーの需要縮小が加わり資金繰りが悪化した。... DRAMとNAND...
(最終面に「深層断面」) NAND型フラッシュメモリーの市況悪化を受け、四日市(三重県四日市市)と北上(岩手県北上市)の2工場の着工時期を09年...
東芝は四日市工場(三重県四日市市)でのNAND型フラッシュメモリー製造で、既存の第4製造棟に回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを導入する。...
だが、代表的なメモリーのDRAMやNAND型フラッシュメモリーはいずれも大幅に価格が下がった。ただ、NANDフラッシュは価格が安くなれば、ソリッド・ステート・ドライブとして普及し、ハードディスクの代替...
NAND型フラッシュメモリー需要が堅調だ。スマートフォン(多機能携帯電話)や米アップルのタブレット型情報端末「iPad」など新ジャンルの台頭で市場のすそ野が拡大しているためだ。... ...
携帯機器の記憶素子に採用されるNAND型フラッシュメモリーの今年度上期の価格は、07年度下期に比べて45%下落。... 【価格大幅下落】 NAND型フラッシュメモリーも同じく、需給バラ...
パソコンのメーンメモリーのDRAMや携帯機器に内蔵するNAND型フラッシュメモリーは需給バランスが崩れ、供給過剰に陥っている。 ... 東芝は四日市工場(三重県四日市市)で減産...
記憶素子となるNAND型フラッシュメモリーに、回路線幅43ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスとともに多値記憶技術を採用し、記憶容量を従来製品の2倍にした。
DRAMやNAND型フラッシュメモリーは供給過剰から価格が急落。... NANDフラッシュも供給過剰から価格が急落。... NANDフラッシュはメモリーカードや携帯機器向けの需要が減少。
しかし、今シーズンは景気後退からシステムLSIやマイコンなどの演算素子(ロジック)IC、DRAMやNAND型フラッシュメモリーなどあらゆる半導体の需要が縮小している。
東芝は16日、四日市工場(三重県四日市市)でNAND型フラッシュメモリーを減産すると発表した。... NANDフラッシュの生産量を約3割削減する。メモリーカードや携帯型音楽機器の販売低...
NAND型フラッシュメモリーでは回路線幅を56ナノメートル世代から43ナノメートル世代と、一世代微細化すると1枚のシリコンウエハーから取れるチップ数は約2倍に増え、製造コストを下げられる。 パ...
