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記事検索結果
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≪CNT複合電着ダイヤモンドワイヤ≫ 【砥粒脱落対応】 電着ダイヤモンドワイヤは、シリコン、サファイア、窒化ガリウム、シリコンカーバイドなど硬くてもろい硬脆材料を切...
【最速連続鋳造】 当社は、アルミニウム合金にシリコンカーバイド(SiC)粉末を混ぜたアルミ基−SiC粉末複合材料(ALSiC)が高熱伝導性と低熱膨張性...
E235系は主制御器にSiC(シリコンカーバイド)製のパワー半導体素子を採用して車両の消費電力を抑制するほか、潤滑や冷却で使用するコンプレッサー油を不要としたオイルフリーコンプレッサー...
住友化学のDPFはチタン酸アルミニウム製で、現在主流のシリコンカーバイド製に比べて熱膨張が少なく、耐熱性、すす限界堆積量に優れている。
現在のパワーデバイス材料はSi(シリコン)だが、より電力損失の少ないSiC(シリコンカーバイド)に代われば「高温動作対応の接合材料が必要になる」(垣内宏之電子材...
新型車両には主制御器にシリコンカーバイドを用いた次世代半導体素子(SiC)を採用して消費電力を低減するなど、これまでの技術開発の成果を取り入れる。
吉野電化工業はニッケル、タングステン、リンの合金メッキの皮膜に、シリコンカーバイドの微粒子を混ぜ込むことで硬度を高めた。... シリコンカーバイドの微粒子が皮膜中に均一に入り込むようにする必要がある。
新工場で生産するチタン酸アルミニウム製DPFは現在主流のシリコンカーバイド製に比べて熱膨張が少なく、耐熱性、すす限界堆積量に優れるため欧州の自動車メーカーや評価機関から高評価を受けている。 &...
シリコンカーバイドは理論上は半永久に近い耐久性があり、こうした懸念は少なくなる。... 安定性に優れたシリコンカーバイドを用いて、エネルギー変換効率を高めるとともに結晶構造の最適化を模索した結果、立方...
現在主流のシリコントランジスタに比べて損失を3000分の1以下にできる見込み。... 酸化ガリウムはシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウムなど既存のワイドギャップ半導体よりも大きな...
エア・ウォーターは20日、最大8インチのシリコンカーバイド(SiC)基板の生産技術を開発したと発表した。安価なシリコン基板上に高品質なSiC単結晶薄膜を低コストで量産する技術で、業界初...
日立製作所は16日、シリコン(Si)に代わる次世代材料として注目される炭化ケイ素(シリコンカーバイド、SiC)を用いて、小型・軽量で低電力損失を実現した直流1500ボル...
シリコン基板と窒化ガリウム膜の間に、窒化アルミと窒化ガリウムを交互に積層したバッファー層を設けて膜厚を厚くした。... シリコン基板の窒化ガリウム半導体は主に携帯電話や情報通信機器などの高周波デバイス...
現在、主力となっているシリコンカーバイド製のフィルターよりもすすを連続して除去できる量が増えた。またフィルターを再生するために捕集したすすを燃焼する必要があるが、この急激な温度変化に対する耐性もシリコ...
