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ターゲット材・各社の戦略(下)磁性材やメモリーに商機（2009/6/25）

「記録方式の変化を受けて、ターゲット材の組成変化にいかに対応していけるか。... また、次世代メモリーの磁気抵抗型メモリー(MRAM)にもターゲット材が使われる。... また、同じく次...

インタビュー/米サンディスク日本法人社長・小池敦義氏（2010/3/3）

NAND型フラッシュメモリー需要が堅調だ。... ニューモニクスは相変化メモリー(PRAM)などに力を入れており、こうした次世代技術の共同開発などが戦略に含まれているのだろう」 ...

産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。既存のNOR型フラッシュメモリーと同等のコストで約1000倍高速...

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスが共同でMRAMのほか、電気抵抗の変化を利用した「RRAM」の研究開発も推進。... このため、20ナノメートル世代から先は主力品をDRAMから相変化膜を用...

微細化の先に(3)エルピーダメモリ取締役・安達隆郎氏（2008/6/5）

NAND型やNOR型の両フラッシュメモリーのようにはいかない」 ―次世代メモリーの開発が進んでいます。 ... 2012年には相変化メモリーも含めた抵抗変化型メモリーに置き換える。技術...

エルピーダ、2012年に相変化膜利用の半導体メモリーを事業化（2008/6/4）

エルピーダメモリは2012年に、熱変化によりデータ書き込み・消去を行う相変化膜を用いた半導体メモリー「PRAM(フェーズチェンジメモリー)=用語参照」を市場投入する方針を明らか...

エルピーダ、ロジックICの受託製造に参入−台湾UMCと業務提携（2008/3/18）

エルピーダとUMCは07年秋にDRAMと相変化メモリー(PRAM)の共同開発に合意。