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記事検索結果
184件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
反強磁性体は素子から磁場が漏れず高密度に集積できるため、高速高集積低消費電力の次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)につながる。 ... 磁極の向きが...
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授とNHK放送技術研究所の宮本泰敬主任研究員らは、低電流密度で高速書き込みが可能な磁気抵抗メモリー(MRAM)の候補材料を開発した。... 次世代のス...
実際にキラル分子を強磁性体のニッケル上に並べると、スピンの偏極が磁気抵抗効果を発現して電気抵抗が変化した。磁場をかけると抵抗が上がるか下がるかは、キラル分子が右巻きか左巻きかで決まっていた。
実際に酸化鉄のヘマタイトの原子磁場を撮影し、温度によって転移して磁気パターンが切り替わる様子を捉えられた。 ... 電子顕微鏡は2―3ケタほど分解能が高く、原子レベルの磁気パターンが...
巨大磁気抵抗素子という高感度センサーで、反磁性の磁場が広がり外部磁場と垂直になった磁界を捉えた。
東北大学の陣内佛霖助教と五十嵐純太学術研究員、深見俊輔教授らは、直径5ナノメートル(ナノは10億分の1)の磁気トンネル接合(MTJ)素子で10ナノ秒以下の高速...
待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...
鉄原子が大きな磁気モーメントを持ち、極低温では巨大磁気抵抗効果を観測。トランジスタ構造を作ると磁気抵抗効果を変調できる。... 極低温では磁化状態を切り替えると、電気抵抗が大きくなる巨大磁気抵抗効果が...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員、野崎隆行研究チーム長、湯浅新治研究センター長らは磁気抵抗メモリー(MRAM)の磁気安定性を改善...
1ケタナノメートル世代(ナノは10億分の1)の集積回路に対応した磁気抵抗メモリー(MRAM)用記憶素子を開発した。
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センターの湯浅新治研究センター長、薬師寺啓研究チーム長、高木秀樹総括研究主幹らの研究チームは、磁気抵抗メモリー(MRAM...
この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。 コバルト鉄ボロンで絶縁体の酸化マグネシウムを...
回転量を表す信号を出力する「インクリメンタル」と、回転角度の絶対値を表す信号を出力する「アブソリュート」の両方式で同時出力でき、しかもインクリメンタル形の出力パルス数を、用途に応じて変えられる磁気式ロ...
それには「磁気抵抗素子」が欠かせないと言われている。 ... この現象を磁気抵抗効果という。... これらの予測を基に、実際に磁気抵抗素子を作製している研究者と共同して、より大きな磁...
