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SiC基板に絶縁膜を積む際、前処理を施した上で、無害で取り扱いが容易な窒素ガスを使って熱処理した。... より高性能な素子を安全かつ安価に製造する、次世代SiCパワー半導体の新手法になる可能性がある。...

昭和電工、SiCエピウエハー増産−秩父事業所の能力66%増 (2017/9/15 素材・ヘルスケア・環境)

昭和電工は14日、秩父事業所(埼玉県秩父市)でパワー半導体用の高品質な炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの生産能力を現状比66・7%増の月5000枚に増...

導入に当たっては炭化ケイ素(SiC)製の電熱線本体が壊れにくいよう固定方法を改良したり、耐火物から発生する水蒸気を抜けやすくする機構を開発するなど、マツダと一緒になって改善に当たった。

公開内容はAI、SiC(炭化ケイ素)ウエハー、生体情報センシングに関するもので、2020年までの事業化を見込む。... SiCウエハーは昇華法で高品質の単結晶成長を実現する技術などを披...

今後、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのパワー半導体素子は電気自動車(EV)、鉄道をはじめ省エネルギー用途での活用が期待されている。

ダイキン、フィルムコンデンサー用新素材開発−電極面積5分の1 (2017/8/23 電機・電子部品・情報・通信1)

近年、高温で動作する炭化ケイ素(SiC)基板の次世代パワー半導体が自動車などで採用される見通しが高まっているが、一方でPPは耐熱性などに課題があり、対応できない恐れがある。... ただ...

制御回路に、低損失の炭化ケイ素(SiC)ダイオードを採用。

昭和電工は7日、新日鉄住金グループからパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)ウエハーの特許など関連資産を買収すると発表した。... 一方、新日鉄住金はSiCウエハー研究開発から撤退すること...

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)材料技術研究所の末廣智研究員らは、高純度シリコンカーバイド(SiC)をレーザーで製造する技術を開発した。... 生成し...

同モジュールを構成するトランジスタとダイオードはシリコン(Si)より電力損失が少ないシリコンカーバイド(SiC)製。... 「フルSiCモジュールを製品レベルに仕上げる...

さがみはら産業創造センター(相模原市緑区)はトヨタ生産方式(TPS)による業務改善手法を学べる中小企業向けセミナー「SICカイゼン・スクール」を9月2日に開講する。

唐津市の新工場は、化学気相成長(CVD)による炭化ケイ素(SiC)部材を生産する。... CVD―SiC部材の海外生産は初めて。

(敬称略) 【論文賞】▽「Noncontact gravity compensator with magnetic...

NHVコーポ、電子線照射装置 NGSアドバンストから追加受注 (2017/6/27 機械・ロボット・航空機2)

同社は炭化ケイ素(SiC)繊維メーカーで、航空機エンジン素材向けに供給。今回の投資はSiC繊維増産のためで、主に米国向け需要増に対応する。 ... SiC繊維に電子線...

富士電機、SiCパワー半導体 年度内に製品化 電力損失8割減 (2017/6/26 電機・電子部品・情報・通信)

富士電機は従来のシリコン製パワー半導体に比べ、電力損失を約8割低減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を開発した。... 同回路の密度を高めることで抵抗値を下げたほか、使うSiCウエ...

調査対象は一般的なシリコン系のほか、物性値が優れる炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)を基板にした化合物系パワー半導体、酸化ガリウムやダイヤモンドをベースとした...

次世代パワー半導体材料、酸化ガリウム急浮上−京大発VBがSBD開発 (2017/6/7 電機・電子部品・情報・通信2)

電力変換効率に優れ、実用化が進む炭化ケイ素(SiC)より高性能で、生産コストも抑えられるという。... 実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(GaN)を追い越そう...

半導体熱研究所、パワー半導体向けに高効率放熱基板 (2017/6/1 モノづくり基盤・成長企業)

炭化ケイ素(SiC)半導体や窒化ガリウム(GaN)半導体の高温動作時でも、高い放熱性を実現する。

次世代のSiC(炭化ケイ素)パワー半導体材料の本格量産に向けた設備導入も行う。

GaN組み込んだ実験用回路、ヘッドスプリングが6月に製品化 (2017/5/23 電機・電子部品・情報・通信2)

ヘッドスプリングは設計の難しい炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を活用し、この半導体を搭載した電力変換回路ブロックも販売する。

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