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記事検索結果
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産業技術総合研究所は、半導体トランジスタの不純物濃度分布を高精度に測定する手法を開発した。... 次世代トランジスタの開発に向け、産学共用のインフラとして活用する。 STMは非破壊か...
トランジスタ回路を形成した薄型フィルムを手で伸縮させる実験で、安定動作を確認した。... ガラス基板の上に高分子の薄型フィルム(パリレン―C)を形成し、インクジェット法により線幅5マイ...
産総研の前田辰郎ナノエレクトロニクス研究部門主任研究員らは、幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の細線のチャネル構造を絶縁膜上に形成した、インジウムガリウムヒ素のn型金属酸化膜...
産業技術総合研究所は、LSIを低消費電力化できるシリコン製のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の動作速度を10倍以上早める技術を開発した。... トランジスタの動作速度は駆...
モジュールを構成するダイオードとトランジスタの二つにSiCを使うことで、シリコンとSiCを併用する従来機種に比べて変換効率を0・3ポイント高めた。
ローム・アポロはLSIのほかトランジスタやダイオード、抵抗器、各種モジュールなどを、ローム・ワコーはLSIやダイオード、レーザーなどを主力生産品目とする。
一方で有機半導体を用いたトランジスタ素子は一般的に電荷の移動度(半導体の性能指標)が低く、広域なエレクトロニクスに適用するには十分なスイッチングスピードが得られにくいのが課題という。&...
半導体カーブトレーサーの主要測定対象のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)は日本企業が世界をリードし、米国と欧州にも大手企業がある。
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
シャープは世界初のオールトランジスタ式電卓(電子式卓上計算機)開発から50周年を迎えたことを記念し「50周年記念 新製品デザイン投票」を18日始めた。
ロームのパワー半導体事業はこれまで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、インテリジェントパワーモジュール(IPM&...
広島大学大学院先端物質科学研究科の東清一郎教授らの研究グループは、ペットボトルなどに利用される安価なプラスチック上での単結晶シリコントランジスタの動作に成功した。... トランジスタの電界効果移動度は...
トランジスタは素子サイズを小さくすると、オン抵抗(動作時の抵抗)が大きくなる課題があった。このため超小型トランジスタでは耐圧20ボルトが限界だった。... 同パッケージ技術は、高速スイ...
同トランジスタは高耐圧・低損失で、電力制御や電力変換用半導体素子として、現在の主流のシリコンなどに代わる可能性を秘めている。... 情通機構は昨年、タムラ製作所の子会社である光波(東京都練馬区...
