- トップ
- 検索結果
記事検索結果
1,260件中、32ページ目 621〜640件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
インバーター回路のスイッチング素子などには、SiC金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
科学技術と経済の会(東京都千代田区)は、日本発の優れたイノベーション事業をたたえる「第2回技術経営・イノベーション賞」(文部科学省、経済産業省、日刊工業新聞社など後援)...
パワー半導体は炭化ケイ素(SiC)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)を持ち、これらを一体提...
三菱電機は高出力高周波トランジスタで、電力増幅信号のひずみを補正する素子のリニアライザーを内蔵した新製品を開発し、2月1日にサンプル出荷を始める(写真)。
これにより、1ボルト動作の従来の四角形断面構造のトランジスタに比べ消費電力を最大約60%低減させることが可能という。 ... 今後、p型トランジスタの高性能化に適したゲルマニ...
次世代のグラフェン(炭素原子のシート)トランジスタ素子を想定。... これまで同模擬実験ではトランジスタ素子のチャネル部分だけに相当する1000原子数しか予測計算できなかった。
従来のトランジスタではできなかった0・3ボルト以下の超低電圧動作の集積回路実現への道を開く。... トンネルFETは電子のトンネル効果を利用したトランジスタ。従来の金属酸化膜半導体(MOS&#...
シリコン酸化膜(BOX層)上に単結晶シリコン(SOI層)が形成されたSOIトランジスタや、バルクトランジスタを使って実証した。... その結果、従来は局所的な温度上昇は...
三菱電機は25日、ダイオードとトランジスタにSiC(炭化ケイ素)を使う「フルSiCパワー半導体」を搭載した鉄道車両向けインバーター(電力変換装置)を製品化したと発表した...
提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。
産業技術総合研究所のナノエレクトロニクス研究部門の臼田宏治特定集中研究専門員らは、3次元(3D)積層技術による高密度集積回路(LSI)向けのp型・n型両極性多結晶ゲルマ...
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の並列動作に対応し、産業用インバーターなどに搭載して高電圧・大電流を制御する。
世界に先駆けてトランジスタ式魚群探知機を開発した本多電子。... 前社長の故・本多敬介氏が自宅兼事務所の小さな町工場で出発した同社が一躍、脚光を浴びたのは1959年の小型トランジスタ魚群探知機の開発が...
有機半導体材料に対して接触させる絶縁体を変化させた際、電荷移動度が受ける影響を詳細に調べることができるため、高性能なトランジスタの開発などにつながると期待される。
技術力のある高耐圧IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)など限られた領域でなら勝負できる。... (ダイオードとトランジスタの)フルSiCは日立の中央研究所が中...
東京大学生産技術研究所の平川一彦教授、東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構の柴田憲治特任講師は、東大大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センターの岩佐義宏教授らと共同で、人工原子の半導...
