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記事検索結果
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記憶媒体にNAND型フラッシュメモリーを用いたドライブ装置(ソリッド・ステート・ドライブ=SSD)を搭載可能とした。従来型に比べアプリケーションの応答時間を10分の1に短縮する...
TDKは5日、データ転送速度が毎秒133メガバイトと高いインターフェース規格「ウルトラDMA6」に対応したNAND型フラッシュメモリーを制御するコントローラーLSI「GBドライバー RA8シリ...
携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーの拠点である四日市工場(三重県四日市市)はフル稼働、単機能(ディスクリート)半導体の姫路半導体工場(兵庫県...
東芝はNAND型フラッシュメモリーの需給バランスの悪化で営業赤字に転落した。... ゲーム機向けのシステムLSIが不振だったほか、携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーの価格が前四半期...
1回目はNAND型フラッシュメモリーを主力とする東芝の齋藤昇三執行役上席常務セミコンダクター社社長。(安久井建市) ―NANDフラッシュの需要状況は。 ... 普及型の...
新技術により、例えば、16ギガビットNAND型フラッシュメモリーウエハーを10枚重ねてチップ状にすれば、超小型の160ギガビット大容量メモリーを量産化できるとしている。
東芝は携帯機器の記憶素子としてNAND型フラッシュメモリーを事業化しているが、「フローティングゲートで電荷を保持する現在のタイプでは回路線幅30ナノメートル世代が限界」と見ている。... NANDフラ...
東芝は2010年の稼働を計画するNAND型フラッシュメモリーの二つの新工場棟に、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを適用する。... NANDフラッシュの...
東芝は携帯機器などの記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーを増産する。... NANDフラッシュの増産では携帯電話や携帯型音楽機器、デジタルカムコーダ向けの需要拡大に対応する。... 東芝はNA...
米スパンション(カリフォルニア州)のバートランド・カンブー社長兼最高経営責任者(CEO)は、2012年までに主力のNOR型フラッシュメモリーから高付加価値品へ製品構成を...
携帯機器の記憶素子に用いるNAND型フラッシュメモリーをはじめ、システムLSIや単機能半導体(ディスクリート)でも次世代に向けた研究開発を実施している。... 「当社はNAND型フラッ...
また、NAND型フラッシュメモリーが主力の四日市工場(三重県四日市市)に敷設している直径200ミリメートルラインを大分や岩手に移管して利用する。
東芝は09年3月をめどに、直径200ミリメートルウエハーラインを用いるNAND型フラッシュメモリー製造事業で米サンディスクコーポレーションとの合弁を解消する。... 今年度のNANDフラッシュの価格下...
東芝は09年度、四日市工場(三重県四日市市)で回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリーを量産する。... ...
NAND型やNOR型の両フラッシュメモリーのようにはいかない」 ―次世代メモリーの開発が進んでいます。 ... 2012年には相変化メモリーも含めた抵抗変化型メモリーに置き換える。
ハギワラシスコム ハードディスクの代わりとなるNAND型フラッシュメモリーを搭載したフラッシュドライブ(駆動装置)「HFDシリーズ」を発売した。
