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記事検索結果
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樹脂包装(パッケージ)などの製造後工程技術により、DRAM一個当たりの記憶容量を高めるのが狙い。... これら電子機器は通常、一つのマザーボード上にCPUやDRAMなどをそれぞれ実装し...
エルピーダもDRAMの市況低迷から営業赤字を計上した。... DRAM価格は1年半に渡って低迷するため、メーカーが生産調整に乗り出した。... DRAM大手のサムスンやハイニックスは、NANDフラッシ...
広島工場(広島県東広島市)に回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスに対応した先端DRAMの製造設備を追加導入する。... 「09年1―3月に、50ナノメ...
エルピーダメモリは6日、08年末に中国の投資会社「蘇州ベンチャー投資集団」と中国江蘇省蘇州市にDRAMの生産合弁会社を設立すると発表した。... 現地のDRAM需要拡大に対応するのが狙い。 ....
ウィンドウズビスタの採用増加が後押しして、DRAMのビット成長率が一段と伸びる可能性が高い。 供給側から見ると、価格の低迷を受けて、DRAMの生産・在庫調整が進展した。... 4月から6月にか...
日本や台湾のDRAMメーカーが投資を抑制している影響を受け、主力製品であるメモリー半導体用テストシステムの受注が大幅に落ち込む。... DRAM価格低迷を受けてDRAMメーカーが投資を見合わせている影...
エルピーダメモリは記憶容量が1ギガビット(ギガは10億)で低消費電力、高速動作のDDR3SDRAM(シンクロナスDRAM)を製品化した。
LCDドライバー事業のテコ入れ策は、DRAMメーカーを参画させることがポイント。DRAMメーカーの工場にある余剰設備を有効活用して、製造コストの低減を図る戦略が柱になっている。 ... このた...
現在主力のDRAMは回路線幅を20ナノメートル台まで微細化すると、データ記憶に用いるキャパシター(電荷保持技術)も小さくなり、電荷保持が難しくなる。このため、20ナノメートル世代から先...
だが、両社ともDRAM事業を手掛けており、同事業の収益悪化から、特にハイニックスはNANDフラッシュに振り向ける投資余力が落ちていると言われる。
08年度はDRAMメーカーの設備投資の大幅削減で、日本製装置が前年度比21%減の1兆4623億円と大幅に減速。
新製品は回路線幅40ナノメートルの先端プロセスを採用したため、DRAMのセル寸法を同55ナノメートルプロセス品に比べて、約50%小型化し0・06平方マイクロメートルにした。これにより、回路線幅...
販売を伸ばす四つのメモリーは、一つのチップにNOR型とNAND型の両フラッシュメモリーの性能を持たせた「ORNAND2」、携帯電話用の「ミラービット イクリプス」、サーバのDRAMの置き換えを...
フラッシュメモリーやDRAMなどメモリー系の単純で規則正しい回路パターンであればまだしも、演算機能を持つロジック系の複雑な回路パターンは二つに分けにくい。
