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記事検索結果
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パワー半導体はダイオードにシリコン、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)にSiCを使った「ハイブリッド型」。... より高効率できるトランジスタも含めた「フルSiC」の開発も...
試験では比較用の標準シートで電圧1・3ボルトのトランジスタの発熱温度が96・5度Cだったのに対し、複合シートでは温度が7―9度C低下した。
三菱電機は衛星通信地上局用の電力増幅器向けでは業界最高クラスとなる出力電力80ワットの窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を完成した。
マレーシア統計局がこのほどまとめた2013年7月の製造業統計(速報値)によると、半導体の生産量は前年同月比で、ICが20.8%減の28億1900万個、トランジスタが0&...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...
アナログ・デジタル信号処理とパワー制御を1チップに形成する「BiC−DMOS」プロセスを採用し、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗を低減することでICの発熱を抑え...
開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。... トランジスタの破壊を未然に防止する。 ... 今後、トランジスタの製造プロセスを改良...
産業技術総合研究所は30日、トランジスタやメモリーの絶縁膜、太陽電池の透明電極などに使われるアモルファス金属酸化物の構造に、単純な秩序があることを見いだしたと発表した。
米スタンフォード大学のグループはカーボンナノチューブ(CNT)製のトランジスタを全面採用したコンピューターを世界で初めて開発し、稼働に成功した。トランジスタの大きさは1マイクロメートル...
産業技術総合研究所は従来のシリコン材料では不可能な、16キロボルトの高電圧に耐える炭化ケイ素(SiC)パワー半導体トランジスタを開発した。... 先進パワーエレクトロニクス研究センター...
新開発のCNTトランジスタは印刷技術で作れるため、大面積の電子回路を低コストで製造できる。... これによって電極同士の重なりを小さくし、寄生成分を一般的な印刷トランジスタの10分の1以下に減らした。...
東北大学の寒川誠二教授の研究グループは、従来比1000倍の電気特性を持つ炭素物質のグラフェンを使ったトランジスタを開発した。... シリコントランジスタを超える性能を持つグラフェントランジスタの実用化...
その結果、少量添加した酸化金属がトランジスタの動作安定性に密接に関与することが分かった。開発したトランジスタのオン/オフ比は9ケタと高く、電界効果移動度も従来材料であるインジウム、ガリウム、...
これを機に、応用先を照明などの家電製品から、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)や車載用電子部品の基板といった産業用途に広げる。
【取締役ディスクリート生産本部長】東克己(あずま・かつみ)氏 【横顔】トランジスタの生産管理・生産技術・商品設計・企画と多様な職種に従事してきた。... 08年ディス...
過去40年間、半導体の世界では、大きいモノを切り削って微細なトランジスタを作り、それを一つのチップにできるだけ搭載する、いわばトップダウンのモノづくりを進めてきた。
