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力率を改善するPFC(力率改善回路)用とDC/DC(直流/直流)コンバーター用の2種で、電力損失が少ないGaNの高電子移動度トランジスタ(H...

なかでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールが主力製品だ。

染谷教授らはこれまで厚さ1マイクロメートルの高分子フィルム上に有機太陽電池や有機トランジスタを作製する技術も開発しており、これらの有機デバイスをすべて集積することが可能になる。

有機トランジスタを使った伸縮自在な集積回路で、くしゃくしゃにつぶしたり高所から落としたりしても性能が劣化しない。... これで高性能な有機トランジスタの集積回路を作製できた。 ......

完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...

有機トランジスタなどを印刷により形成するもので、既存の真空蒸着と比べて工程の簡素化や原材料の節約につながる。

紙の太陽電池やひらひら舞うトランジスタ、くしゃくしゃに折り曲げられるアンテナ―。... 染谷隆夫教授らと高温の滅菌プロセスに耐える有機トランジスタを開発しており、初期のがんを検出するセンサーなど体内に...

SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...

【2つの伝導巧妙に】 私たちはこの組み合わせをうまく工夫して、室温でも大電流を流せるダイオードのほか、電流増幅ができる接合型バイポーラトランジスタや高いオン・オフ比と急峻(き...

大電流のパワートランジスタ用リードフレーム、滑り軸受用特殊合金厚板向けに採用を提案。

液晶パネル上のトランジスタを小型化するIGZO(酸化物半導体)技術で、透過率を従来液晶パネル比約2倍に向上。

通電時の電気抵抗(オン抵抗)が低いスーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)採用。

バイポーラ・トランジスタに比べ、使用素子を減らせるため故障しにくい絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を採用した。

「省エネ半導体」の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載し、電力損失を低減でき、総合効率で最大97%を実現した。

先端技術部門(授賞対象分野はエレクトロニクス)受賞者のデナード博士は、半導体ダイナミックメモリー(DRAM)の発明と電界効果トランジスタ微細化指針の提唱が情報・通信技術...

シリコントランジスタ、パワー半導体、光エレクトロニクスを中心のテーマに据え、筑波大学との連携大学院などを通じた人材育成の場として活用していく。

現在主流のシリコントランジスタに比べて損失を3000分の1以下にできる見込み。... 今回、新しいデバイスプロセス技術を開発し、最も実用に適したトランジスタの一種であるMOSトランジスタを作製、その動...

フォトトランジスタと緑色LEDを、一つのパッケージにした反射型センサー。

独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。

産業技術総合研究所は従来比10―100倍の動作電流が得られる新構造のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... トンネルFETは電子のトンネル効果を利用したトラン...

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