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記事検索結果
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2倍の面積に一つのセルトランジスタを形成することで、トランジスタのチャネル幅を約3倍に拡大できるため、全体の面積を増やさずに電流特性を上げられる。
現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...
トランジスタ構造を微細なフィン型に改良して、実用レベルに迫るスイッチング特性を実現し、ゲルマニウムトランジスタがCMOS回路を積層するデバイスとして適していることを確認した。... 今回はp型トランジ...
【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...
超低電圧デバイス技術研究組合と新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、新しいトランジスタ構造による論理IC(集積回路)を開発し、従来比3分の1という0・37ボ...
東芝は動作時の消費電力を約80%低減することが見込める通信用途のトランジスタを開発した。... 開発したのは通信機能を担うMOS電界効果トランジスタ(FET)で、高周波(...
シリコンのトランジスタに比べ、より低電圧で電流を流せるトランジスタを使うため、シリコンLSIよりも10分の1程度低電力化できるとみている。... 入沢寿史連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンタ...
窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った送受信モジュールで、送受信機能を一つのパッケージに集約できるようにして小型化した。
東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは、グラフェンFET(電界効果トランジスタ)の電子状態を調べ、デバイスの性能劣化の原因...
開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を6素子搭載し小型化を実現しており、2素子搭載の従来製品を三つ使用した場合と比べ実装面積で、約80%に縮小できるという。 &...
ダイオードにSiCを用いたハイブリッド製品のほか、トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSiCを製品化。
透過式は指など突出した部位を発光ダイオード(LED)とフォトトランジスタで挟んで透過光を測る。これに対し、反射式はフォトトランジスタの左右に近赤外光(波長940ナノメートル&#...
立体型トランジスタ(フィンFET)のSRAM回路の静的雑音余裕(SNM)を予測したところ、製造条件の最適化により1ボルトで動作させた時の安定性が約2倍に向上した。
ロームは高速スイッチング性能と低電流から大電流までの省エネルギー特性を兼ね備えたトランジスタ「ハイブリッドMOS」を完成した。スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―...
