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記事検索結果
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最上位の経済産業大臣賞は、三菱電機の「鉄道車両用フルSiC適用電力回生・高調波損失低減システム」が受賞し、これを含め12社の13件が表彰された。
【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】 ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...
SiC(炭化ケイ素)デバイスの試作用クリーンルームなど、TIA―nanoの4機関には300種類以上の設備・装置がそろう。... 富士電機は産総研との共同研究で150ミリメートルウエハー...
SiC(炭化ケイ素)などパワー半導体、IoTソリューション、自動運転システムなど向けに、計測器とアプリを一体提案する。
28件の応募の中から、最高位の経済産業大臣賞には、三菱電機の「鉄道車両用フルSiC適用電力回生・高調波損失低減システム」が選ばれた。
省エネルギーなど次世代技術として注目を集めるSiC(炭化ケイ素)半導体にスポットをあてた内容で、松波弘之京都大学名誉教授や大森達夫三菱電機開発本部役員技監らが講演する。
チリでは鉱山でのエネルギー需要拡大に対応するため、中南部の中央送電網(SIC)で約599メガワット、北部送電網(SING)で1119メガワットの発電能力を増やす必要があ...
京セラは炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体の放熱に適した基板材料(写真)を開発し、一部量産を始めた。... 従来のシリコン半導体よりも耐熱性能が高いSiC半導体など...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を使ったパワー半導体のゲート酸化膜形成用に、原子層堆積(ALD)装置を開発し発売した。同時にスウェーデンのS...
最新の国家プロジェクトの成果であるSiCデバイスを組み込んだこの装置は、PEKURISの「P」をPowerからPlasmaに進化させた製品となっている。
【大学と開発連携】 ダイヤモンドは耐熱性や耐久性に優れており、半導体の基板に使えば炭化ケイ素(SiC)を使った半導体デバイスを上回る機能を持つ次世代デバイスが生み出せ...
《アルミ基−アルミ基−SiC粉末複合材料》 【熱対策部材】 ダイカストは溶かしたアルミニウムなどの金属を金型に素早く圧入して凝固させる金型鋳造法。... 【最速連続...
エア・ウォーターは炭化ケイ素(SiC)基板の用途提案を拡大する。... エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(...
E235系は主制御器にSiC(シリコンカーバイド)製のパワー半導体素子を採用して車両の消費電力を抑制するほか、潤滑や冷却で使用するコンプレッサー油を不要としたオイルフリーコンプレッサー...
SiCはシリコンデバイスに比べ、同等の性能を10分の1の大きさで作製できるなど、今後の普及が期待されている。ただ、結晶をつくる段階では、一つの欠陥もないシリコンに比べ、SiCではデバイス性能への影響の...
ヘッドスプリング(東京都品川区、星野修社長、03・5495・7957)は、炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を搭載した電力変換回路ブロック「サーキットブロッ...
昭和電工はパワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハーの直径4インチ(100ミリメートル)品と6インチ(150ミリメートル)品で欠...
