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記事検索結果
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「耐熱性と強度を高めることで、半導体などに使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やスイッチの材料も提供できる」と確信する。
チップの大きさは588平方ミリメートル、動作周波数3ギガヘルツ(ギガは10億)、16コアで30億個のトランジスタと24メガバイトの2次キャッシュメモリーを搭載。
耐圧600ボルトのパワートランジスタで連続安定動作を確認し、実用化にこぎ着けた。... パナソニックは有機金属気相成長(MOCVD)技術により、直径6インチのシリコン基板上にGaNを結...
定格電圧600ボルトのGaNパワートランジスタを開発。... 開発したGaNパワートランジスタは4月15日にサンプル出荷を始める。... 家庭用エアコンに同トランジスタを用いた場合、従来のシリコン製に...
今後300ミリメートルウエハーの技術を量産拠点のドレスデンに移管し、まずは容量が小さい高電圧トランジスタを生産する。将来は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など大容量品にも導...
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来製品に比べて6割低減。
オペアンプや金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など数点の部品を追加することで、ちらつきの原因となる電流の変動(リプル)をゼロにした。
開発したのは、半導体のP層とN層の接合面に微細な短冊状の構造を持たせて抵抗を抑える「スーパージャンクション(SJ)MOSトランジスタ」の形成技術。
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来比6割低減。
オーストリア・フィラッハの拠点で直径300ミリメートルウエハー技術を用いて、高電圧トランジスタ「CoolMOS」を生産、2月に一部顧客に納入を始めた。... 日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトラ...
トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSiCパワー半導体モジュールで、保護技術などを用いて大容量化を実現した。... 開発したのは、SiCの金属酸化膜半導体(MOS)電界...
しかしモジュールに採用する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の既存製品は、逆方向に電圧をかけると壊れる可能性がある。
電荷移動度の高い印刷可能な単結晶有機半導体トランジスタを開発し、ディスプレーの駆動方式の一つである「アクティブマトリックス」への応用にめどをつけた。... 有機半導体を用いたトランジスタ素子は一般に、...
高速応答性は、大気中で安定な有機トランジスタとしては最高レベルという。 トランジスタ基板は、まず凹凸構造を持つシリコンの型を作製。... 量産に向いたロール・ツー・ロール方式で有機ト...
従来型発電機では電圧制御に大型の6個のトランジスタ(IGBT)を搭載しているが、新製品ではバイパス回路を用いることで小型の1個で済む。
