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東芝は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの画質劣化の主因となる「ランダムテレグラフノイズ」と呼ばれる雑音を減らすためのシミュレーション技術を世界で初めて開発した。......
理論的に金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)より電力損失を低減できる可能性があり、特に高い電圧を扱うEVや鉄道車両などの省エネルギーに役立つと期待されている。
パナソニックは12日、回路線幅32ナノ―45ナノメートルプロセスを採用した高感度MOS(金属酸化膜半導体)型イメージセンサー(写真)を開発したと発表した。
常時使う電源回路には厚膜トランジスタを採用し、漏れ電流を減らして消費電力を削減した。... 今回、90ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
東北大学大学院工学研究科の須川成利教授らは島津製作所と共同で、従来の電荷結合素子(CCD)イメージセンサーに比べて20倍速い毎秒2000万コマの高速動画撮影が可能な相補型金属酸化膜半導...
ソニーは11日、総画素数約2000万画素の大判相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した業務用カメラ「F65=写真」を開発したと発表した。
新製品は独自の1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーなどにより、撮影場面に応じて49パターンの画質設定の組み合わせから自動的に判断する機能を実現。
省電力に貢献する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)など複数のパワー半導体の出荷要請を受けており、4―6...
12月にはダイオードに続き、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産も始めた。 ... GaNはSiCに比べ基板上の膜を薄くする必要性があり、耐電圧...
130ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って、64個の光路切替素子と1個の光合分波素子を12ミリ×3ミリメート...
半導体工場(長崎県諫早市)もゲーム用を生産していたが、これを機にスマートフォン向けで需要が急増している高画質が特徴の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー用...
東芝は23日、既存の材料に比べて安価で小型化が可能な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使った車載用レーダー向けの電子部品を開発したと発表した。
45ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作したSoCの消費電力は約3・2ワットだった。
ナノブリッジは銅、ポリマー固体電解質、ルテニウムの3層で構成し、電解質層で金属原子が動く現象を利用してスイッチのオン・オフ動作を行う。... 回路線幅90ナノメートルの相補型金属酸化膜半導体(...
40ナノメートル(ナノは10億分の1)の量産型の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスでフリップフロップ回路を作った場合、従来比で最大77%の消費電力を削減...
