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記事検索結果
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「“フルSiC”パワーモジュール」は内蔵するダイオードとトランジスタをともにSiC製で構成する。これまでダイオードのみSiC製の“ハイブリッド”モジュールは存在したが、SiC製トランジスタは量産が難し...
【山形】山形大学有機エレクトロニクス研究センターの時任静士(ときとうしずお)副センター長らはダイセルと共同で、印刷法を用いた有機トランジスタ用電極を低温処理で作製することに成功した。....
EH5000は、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力を絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)インバーターで制御して走行用モーターを駆動する仕組み。
東京工業大学の菅原聡准教授、周藤悠介特任助教らの研究チームは、神奈川科学技術アカデミーと共同で、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)と電子の磁気的性質(スピン)の融合技術...
日昌の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール筐(きょう)体のインサートモールド成形技術を応用した。
《ローム》“フルSiC”パワーモジュール−電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減 世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素(SiC)材料を適応したパ...
モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のみで構成。すでに同社が量産するSiC製ダイオードとトランジスタを組み合わせたパワーモジュールに比べて...
年明けにも香港に現地法人を設置し、コンデンサーやトランジスタ、ダイオードなどの部品調達体制を整え、海外で完結できる生産体制を構築する。
これにより、書き換え用金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの面積を従来に比べ小さくでき、メモリーとして同約1・5倍の高密度化が可能になるという。
【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した炭化ケイ素(SiC)パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...
電気的な制御によって、トランジスタ極性の反転が可能。... トランジスタとして使う場合はバンドギャップを形成する必要があるが、従来法では電子移動度が下がってしまい、効率的にスイッチング動作のできるトラ...
開発したトランジスタの半導体材料に、自動車などの機械用潤滑油として使われるMoS2を採用。... 研究ではゲート電圧を、0(ゼロ)から0・8、2、5ボルトと変化させ、同トランジスタの電...
米IBMワトソン研究所の研究チームは、1万個以上のカーボンナノチューブ(CNT)のトランジスタから構成された集積回路(IC)を開発した。... このためトランジスタ内の...
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の須田淳准教授と木本恒暢教授らの研究グループは23日、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて2万ボルトの電圧に耐えるトランジスタの作製に成功したと発表し...
開発したトランジスタはアモルファス状態で制御が難しいガリウムや亜鉛を使わず、価格の安いタングステンを使用。... また通常、こうしたトランジスタをつくる時は350度C程度の高温で処理されるが、今回のト...
パナソニックが開発した半導体リレー「フォトモスリレー・パワーDC高容量タイプ」は、スイッチング素子に金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)を使用した。
