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記事検索結果
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産業総合技術研究所ナノエレクトロニクス研究部門の前田辰郎主任研究員らは、住友化学と共同で高分子材料のポリマーに接合した化合物半導体層を使って400度C以下でシリコンの性能を超えるトランジスタを作製する...
【材料分野】本蔵義信愛知鉄鋼技監「Dy(ジスプロシウム)フリーNd・Fe・B(ネオジウム・鉄・ホウ素)系異方性ボンド磁石の研究開発とモータへの応用」【半導体および半導体...
産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門の連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンターの福田浩一研究員らは、トンネル電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用の素子動作モデル...
電流のオン・オフを切り替えられ、室温で動作するスイッチングトランジスタを作ることができた。... これまでに室温でスイッチングトランジスタのオン・オフ動作はできなかった。 ... 今...
東北大学の流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授らのグループは、回路線幅が12ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代ゲルマニウム金属酸化膜半導体(...
グラフェンは導電性の高さから次世代トランジスタや透明電極などへの応用が期待されているが、反応温度が低いと高品質な結晶ができにくいために大量生産しにくく、工業利用の課題となっている。
トランジスタ機能を確認しており、今後はGNRを利用した高機能デバイスへの応用を目指す。 ... また作製したGNRのトランジスタの動作試験により、高性能で動作することを確認した。&#...
【京都】ロームは業界最小級のトランジスタパッケージ「VML0806」を完成した。実装面積が0・8ミリ×0・6ミリメートルで、小信号トランジスタで主流の1・2ミリ×1・2ミリメートル...
一般にCMOSは「p型」と「n型」の2種類のトランジスタで構成されるが、試作した擬CMOSはp型のトランジスタ4個を使用。
パナソニックは22日、放熱性能の向上と小型化を両立したパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真、一目盛りは1ミリメートル)を完成、10月に量産を始めると発表した。
東京工業大学大学院理工学研究科の波多野睦子教授と産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門の山崎聡主幹研究員らは、ダイヤモンド半導体を用いた接合型電界効果トランジスタ(FET)を開発し、...
トランジスタや抵抗などの回路部品をそれぞれ小さなブロックの中に納め、ハンダなどを使わずにブロックを並べるだけで電子回路を組むアイデアを応用した。
「トランジスタ数だけをみると、CPU(中央演算処理装置)の通常の速度向上比率はそのトランジスタ数量の増加率のルート(平方根)でしかない。
「真空管からトランジスタ、デジタル、ネットワークまで、フルレンジの音づくりを実体験として知っている」のが強みだ。
これによりグラフェンを用いた次世代の電界効果トランジスタ(FET)や光デバイスなどの半導体の実用化を促すことになる。
実際にトランジスタなどの素子を作らないことには先端技術の開発はできない。... また、記憶素子と演算素子の微細化によって、トランジスタの搭載数を従来比4倍近く多く内蔵できるほか、複数回路(マル...
広島大学が開発した絶縁膜上シリコン(SOI)・電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用トランジスタモデルが、半導体などの国際標準化委員会「CMC」から標準品として認定...
これにより相補型金属酸化膜半導体(CMOS)次世代ナノワイヤトランジスタの実用化に向け、大きく道を開くことになる。... 今回ナノワイヤの作成技術として「有機金属気相選択成長」という手...
【京都】ロームは産業機器や車載用機器向けのパワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)市場に参入する。
