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記事検索結果
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大容量新素子の絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を16個搭載し、2000キロワットを出力できる。
「SiC製ダイオードとシリコン製トランジスタを組み合わせてモジュール化した製品を社内向けに積極活用している。... 13年度にはトランジスタにもSiCを採用した「フルSiC」製のモジュールを開発する。...
ルネサスエレクトロニクスは動作に必要な電圧を12―15%低減した第7世代の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT=写真、一目盛りは1ミリメートル)を開発した。
SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD)と酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載しており、機器の小型・高効率化に貢献する。... パワー半導体を...
一般的なデバイス向けの軟らかい素材の導電性高分子や有機トランジスタは、導電性が高いがもろかったり伸縮しにくかったりする。
シリコンと窒化ガリは結晶構造が異なるため、窒化ガリ層からひずみが生じるが、トランジスタの性能に影響するそのひずみを改善した。
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)と東京大学は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の大幅な省エネルギー化を実現する低電圧トランジスタの動作に成功した。... 新構...
【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。... インバーター(逆変換装...
科学技術振興機構(JST)と北海道大学は13日、パソコンなどに使われるLSIの消費電力を、現在の10分の1以下に低減できるトランジスタを開発したと発表した。... シリコン基板上に直径...
東芝は、超低消費電力高密度集積回路(LSI)の実現に向け有力とされるナノワイヤトランジスタにおいて、基板にかける電圧を制御することで待機時の消費電力を従来の10分の1に低減できる10ナ...
産業技術総合研究所はLSIの省電力に有効な高性能ひずみゲルマニウムナノワイヤトランジスタを開発した。電流通路が基板表面を通る従来の平面型トランジスタに対して、断面の大きさが数十ナノメートル以下の棒状の...
【京都】ロームはDC/DC(直流/直流)コンバーター用に、高効率化した耐圧30ボルトの酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)16種類を完成...
パナソニックはダイオード、トランジスタともにサンプル出荷を始めており、年内に量産準備を整え、13年1―3月期に600ボルト耐圧品の本格出荷を始める予定だ。
ゲルマニウムを使った省電力のスピントランジスタの実現に道を開く。... これは、p型ゲルマニウムを使ったスピントランジスタの開発が可能なことを表しているという。 ... p型ゲルマニ...
