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記事検索結果
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バンドギャップ式の温度センサーと、薄膜シリコンの湿度センサーを搭載した「高分子薄膜式温湿度センサー」を装備。
理研の研究グループが開発したPNOz4Tは、吸収できる太陽光エネルギー(バンドギャップ)が約1・5電子ボルトに対し、出力する電圧は約1・0ボルトで、光エネルギー損失は約0・5電子ボルト...
GaNなどの大きなバンドギャップエネルギーを持つ半導体は、青色LEDなど光デバイスの他にも、省エネルギーのパワーデバイスや次世代太陽電池などへの活用が見込まれている。
具体的には、電子や熱の通りを良くするため、電子が詰まった価電子帯と、電子が自由に動き回れる伝導帯の間にある禁制帯(バンドギャップ)が大きい材料が求められる。 ...
化学的に安定しており、半導体の基本特性であるバンドギャップ(禁制帯幅)が大きく、高分子材料による有機TFTよりも均一に作れるという。
ナノ構造の「中間バンド型太陽電池」の実現に向けた応用に生かす考え。 ... 電子が存在できないバンドギャップで、余剰エネルギーが熱に変わる「熱損失」と、光を吸収できない「透過損失」も...
ナノ炭素リングは有機材料として半導体などが最も安定する電子状態で、電子が存在できないエネルギー差となる「バンドギャップ」がフラーレンに匹敵する狭さだと分かった。
ただ、酸化チタンは分子の光吸収が短波長側に寄り、電子が存在できない“バンドギャップ”の幅が広がってしまうため、紫外光しか吸収できない点がある。
一方、最近になってグラフェンをナノメートルレベル(ナノは10億分の1)で切り出したGNRはバンドギャップを持つことが明らかになり、用途展開への道が見え始めてきた。... GNRの幅を小...
一方で、電子が存在できない領域(バンドギャップ)がゼロのため、わずかな熱エネルギーで電子が伝導帯に励起してしまい、高い電気抵抗を保つことができない。... 寒川教授らは、グラフェンシー...
酸化ガリウムはシリコンカーバイド(SiC)や窒化ガリウムなど既存のワイドギャップ半導体よりも大きなバンドギャップを持ち、高耐圧・低損失なパワーデバイス用途の新しい半導体材料として期待さ...
電磁バンドギャップ(EBG)構造と呼ばれるものをプリント基板内層に実装することによって、特定の周波数の電磁波を遮断できるようにした。
トランジスタとして使う場合はバンドギャップを形成する必要があるが、従来法では電子移動度が下がってしまい、効率的にスイッチング動作のできるトランジスタを作製できていなかった。
半導体のバンドダイヤグラムを知るには、光学特性である「バンドギャップ」と、電子特性である「イオン化ポテンシャル」の情報が必要になる。... バンドダイヤグラムは半導体材料の電子軌道に関する情報。有機E...
できたシリセンシートは原子が波うった構造をしているため、電子の移動を制御するバンドギャップを導入できることが分かった。
従来のn型有機半導体の2―5倍の大きなバンドギャップを持つことも確認した。... さらにその膜が、従来のn型有機半導体の2―5倍の大きなバンドギャップを持つことも分かった。 現在検討...
