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記事検索結果
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ガリウムを使ったGaN基板はシリコン系基板と比べて電力損失が少ない点などが特徴で、パワー半導体や第5世代通信(5G)デバイス向けで需要増が期待されている。 ... 同...
絶縁体の薄膜を用いることで、電力効率は従来型の最高レベルを維持しながら小型化できる。... この「絶縁体インダクター」は、内部に余計な電流が流れず接合面のみを流れるため、電力損失を起こさない。... ...
その中でも電力の制御や変換を担い高効率な「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」は、京都先端科学大学の松波弘之特任教授(京都大学名誉教授)によって生み出された。... &#...
SiCチップと合わせ、電力損失のさらなる低減が期待でき、産業用機器の効率化などに貢献できる。 内部インダクタンスを低減することにより、機器の過電圧故障の要因の一つであるサージ電圧を抑...
SiC製のパワー半導体は従来のシリコン(Si)製より電力損失が少なく、より高い電圧や電流、動作温度に耐えられる。
【京都】ロームは一般的なシリコン製より省電力性や高速動作性に優れる窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の品ぞろえを拡充した。... 電力損失が少ないのが特徴で、消費税抜きのサンプル価格...
これらの採用に加え、パッケージ構造の最適化により、スイッチング損失を同社の従来のSiCパワーモジュール比で66%低減することに成功した。... インバーターの電力損失が低減されるため、鉄道車両...
光伝送は電気伝送と比べて信号時の電力損失を低減するため、データセンターなどで実用化が進めば消費電力の削減が期待できる。
SiCパワー半導体は、従来のパワー半導体に比べ電力変換時の電力損失や熱の発生が少なく、EVや再生可能エネルギー分野で需要が急増している。
「SiCパワー半導体は従来のシリコン半導体と比べて電力損失を抑えられ、EVの走行距離を延ばすことができる。
バスバー同士の連結部位を低減した大型のバスバーは、電力損失を抑制でき、メンテナンスが容易になるなどのメリットがあることから今後の需要拡大が期待できるという。
車載インバーターへ搭載した場合、従来の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて電力消費を6%減らせるという。... 日立アステモはEVのバッテリーからモーターに電力...
三菱電機は17日、750ボルト以下の中低圧直流(DC)配電システム向けに同社従来品よりも電力損失を45%低減でき、変換器盤の体積を20%、...
新しいプロセス「AE5」を採用し、現行品の「AE4」より電力損失を約10%改善。... 新製品は低電力損失性能を示すオン電圧Vce(sat)が300アンペア時に1・3ボルトと業...
今後、三菱ケミカルグループが開発中の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板を用いた半導体をエリダンの製品に搭載して電力効率を向上するなど、技術開発で協力する。... エリダンは独自技術に基づ...
HVDC Lightは系統停電時の電力復旧(ブラックスタート)などが可能な自励式のHVDC変換器。1%以下の低電力損失や、変換所を省スペース化できるといった特徴がある。...
パワー半導体は大電力を制御できるのが特徴。... 近年、同半導体の材料として注目されるのが、一般的なシリコン(Si)より電力損失が少なく、高熱・高電圧耐久のSiCだ。
同システムは、太陽光発電など再生可能エネルギーによる電力を利用前に一時貯蔵するもの。... 交流・直流の変換による電力損失を防げる。
