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東芝、20ナノ世代向けCMOS素子作製する技術開発（2009/12/10）

国際電子デバイス会議(IEDM)で9日に発表した。

東大など、厚さ7マイクロ基板に積層−コストを改善（2009/12/9）

IEDMで8日発表した。

東芝、スピンMOSトランジスタの基本技術を開発（2009/12/9）

8日米ボルティモア市で開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

NEC、次世代の不揮発性メモリーReRAM開発（2009/12/8）

米ボルティモア市で開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で9日発表する。

NECとNECエレ、実用水準の窒化ガリウム製パワー半導体開発（2009/12/7）

米ボルティモア市で7日に開幕する国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。

東芝、コスト半減の32ナノ世代向けLSI製造技術を開発（2008/12/19）

米国で開かれていた国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

IEDMで発表した。

産総研、22ナノ世代向けSRAM回路を開発（2008/12/18）

IEDMで発表した。

東芝・IBM・AMD、世界最小面積のSRAMセルを開発（2008/12/18）

米国で開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

富士通研、パワーアンプ向け高耐圧トランジスタ開発（2008/12/17）

IEDMで17日に発表する。

しきい値電圧のバラつき、電極の結晶構造に原因‐早大が確認（2008/12/17）

IEDMで発表した。

早大、ダイヤモンド半導体活用しDNA一塩基多型を検出（2008/12/17）

IEDMで発表した。

セリート、次世代LSI向け絶縁膜を開発（2008/12/17）

米国で開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

NEC、素子のバラつきの影響をシミュレーションする新手法開発（2008/12/17）

この研究成果は米サンフランシスコで開催中の半導体プロセス関連最大の国際学会、国際電子デバイス会議(IEDM)で発表した。

NECエレ、先端LSIに向けに消費電力45%削減できる技術開発（2008/12/16）

IEDMで、17日にこの2論文を発表する。

米国サンフランシスコで15日、半導体プロセス関連で世界最大の学会「国際電子デバイス会議(IEDM)」が開幕した。... IEDMで15日発表した。