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車載用充電器で培ったトランジスタやコイル、トランス類などの回路構成技術や安全性能を応用した。

Si製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などと組み合わせて、モジュールで出荷する。

オムロンと米アイスモス・テクノロジー(アリゾナ州)4日、微小電気機械システム(MEMS)技術を応用した高耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

新技術の核となるのはイオン感受性電界効果トランジスタによるセンサーを封入した「イオンチップ」。

透明導電性フィルムのほか、薬剤を体内の標的器官へ送る薬物送達システム(DDS)、高品質トランジスタなどが候補に挙がる。

試作した素子は印刷法を使う従来の有機薄膜トランジスタに比べて100倍以上の性能を持ち、現在の液晶ディスプレーに使われている非晶質シリコントランジスタの性能も超えるという。... 印刷法で作製できる有機...

今回の触媒開発はトランジスタや半導体メモリーの新技術開発につながると期待される。

ティア1の約400社と共同でリスク対策を行う」 ―電動車両に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)も、供給する半導体メーカーが限られます。 &...

ハイブリッド車など電動車両に使用する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ (IGBT)についても「(供給できる)プレーヤーが少なく、マイコン以上に(安定調...

11年に本格生産を始めると宣言した計画を早め、10年秋にSiC製ダイオードとSi製トランジスタを組み合わせた「ハイブリッドSiC」のインバーターをエアコンで製品化した。... 12年にはトランジスタに...

例えば教授が開発した透明トランジスタ。

MICの最初の製品は「3次元トライゲート・トランジスタ」を特徴とする回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術。

グラフェンのトランジスタは開発されているが、今回はそれを金属部品のインダクター(誘導コイル)2個と組み合わせて1チップ化し、周波数混合器というブロードバンド無線通信向けの専用ICを作り...

産業技術総合研究所は2016年ごろの実用化が見込まれている回路線幅16ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の高性能トランジスタを実現するための技術を開発した。... 線幅16ナノ...

SiC半導体技術の開発経緯の説明では、エピタキシャル成長を使って高品質なSiC結晶を実現し、SiC製のダイオードやトランジスタの実用化に結びつく自身の研究成果にふれた。

トランジスタの集積数が増えれば、中央演算処理装置(CPU)の処理性能も比例して高まる。... トランジスタは通常、ゲートと呼ばれる機構を持っていてリーク電流を防ぐ。... 新型トランジ...

東京大学と産業技術総合研究所、住友化学、物質・材料研究機構の共同チームは、化合物半導体とゲルマニウムを使った次世代の高性能トランジスタを開発した。現在のシリコントランジスタの性能向上の限界である電子移...

高性能トランジスタの微細化に伴い、ノイズの比率が増して電圧の変動が起こりやすくなり、画質の劣化を招いている。

三菱電機は衛星搭載用の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った増幅器を開発した。

実用化したチップは電界効果トランジスタ(FET)に溶液中の水素イオンを検知するセンサーと、検知した水素イオンと比較するための基準電位を計測する部分を集積。

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