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次世代半導体に用いる炭化ケイ素(SiC)やサファイア基板の高精度ダイシングが可能。

三菱電機はSiC(炭化ケイ素)製パワー半導体の事業展開を加速する。... SiCをはじめとするパワー半導体の開発を強化する。 ... ダイオードにSiCを用いたハイブ...

富士電機は25日、業界で初めて150ミリメートルウエハーを使ったSiC(炭化ケイ素)パワー半導体を10月から量産すると発表した。... これまでは産業技術総合研究所との共同試作ラインで...

「弱電の研究者はSiC(炭化ケイ素)デバイスや医療センサーの分野で活躍している」と話すのは、日立製作所執行役副社長で研究開発本部長の小豆畑茂さん。

新エネルギーや自動車業界で、炭化ケイ素(SiC)などのデバイスを開発に活用するため、波形のゆがみが大きくなっている現状に対応する。

(微細加工展) 【硬強度硬脆材の切削・研削対応】 木村製作所(京都府長岡京市、075・953・2721)は、チタ...

シリコンのほか、炭化ケイ素(SiC)とサファイアのレーザー切断技術も確立している。

3年ほど前に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体向けウエハー研磨事業を立ち上げた。

三菱電機は電力損失の少ない大容量炭化ケイ素(SiC)パワーモジュールを採用した鉄道車両用補助電源装置(写真)を開発し、東京メトロの銀座線新型車両に納入した。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体や発光ダイオード(LED)基板などを製造する際の超高温プロセスの制御に向く温度センサーとして拡販する。

半導体各社が回路を焼き付けるウエハーに「SiC(炭化ケイ素)」素材を採用したパワー半導体を強化する。東芝が兵庫県の半導体拠点で量産に着手したほか、三菱電機は今年に入って素子をすべてSi...

シリコン基板を採用しており、基板自体をGaNでつくる技術や炭化ケイ素(SiC)基板、サファイア基板の各採用品に比べて低コスト化が可能だ。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の一部工程も担っていた。

SiCの製品開発を加速する狙いだ。 ... SiCは従来のシリコン製に比べて電力損失を最大で90%以上低減できる。... しかし、SiCはシリコンに比べて高いコストが普及の障...

日本メーカーは大口径化で後塵(こうじん)を拝すが、炭化ケイ素(SiC)などの新材料を使った次世代品で存在感を高める。

エネルギー分野では文部科学省の知的クラスター創成事業で取り組んだ「京都環境ナノクラスター」事業の成果を踏まえ、節電・創電・蓄電に関する炭化ケイ素(SiC)や電池関連部材・電極材料、二酸...

炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体の搭載で変換効率98%の商品も開発中。

発光ダイオード(LED)や炭化ケイ素(SiC)半導体などの製造プロセスでの採用を見込む。

京都高度技術研究所は、5日13時から京都市下京区のホテルグランヴィア京都で「SiCパワーエレクトロニクスシンポジウム」を開く。炭化ケイ素(SiC)研究の松波弘之京都大学名誉教授ら大学の...

大気プラズマ溶射法を使い、SiCと被膜材料の間に、親和性の高い二酸化ケイ素の層を設けている。... SiCは単結晶タイプが次世代パワー半導体などに使われる。... SiCには絶縁性のほか、一層の耐酸化...

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