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リレー出力、トランジスタ出力タイプなど用途に応じて選べる。

4月にSiCダイオードの量産を開始、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の生産体制もすでに整えた。

従来は外付けが主流だったパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、従来はディスクリート部品で構成していたサーマルシャットダウン、過電流保護、低電圧誤作動防止、デット...

従来品ではスイッチングには電界効果トランジスタ(FET)を使っていたが、高性能化のため集積回路(IC)に置き換えた。

東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...

作製した結晶膜を金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタのゲート絶縁膜として使うと、既存のシリコン酸化膜と同等の電気的膜厚で換算した場合に、0・5ナノメートルまで薄くできる。その結果、ト...

パナソニックは7日、耐圧性能を3000ボルトまで高めた窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタをシリコン基板上で実現したと発表した。従来、絶縁性基板で製造したGaNトランジスタに比べ、...

東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...

ナノワイヤトランジスタに、従来の平面構造トランジスタの製造で一般的な応力をかけてひずませる手法(SMT)を初めて適用し、オン電流を従来比58%向上した。... 今回SMTでナノ...

東芝は1日、次世代のシート型ディスプレーの実用化に向け、駆動時の信頼性を実用レベルに高めた酸化物半導体の薄膜トランジスタ(TFT)を開発したと発表した。ガラス基板上に320度Cで酸化物...

物質・材料研究機構は、溶液プロセスを使って、世界最高の速度性能(移動度)を持つ有機トランジスタを開発した。... 作製したトランジスタは、従来の溶液プロセスで作ったものに比べ、移動度が...

有機EL、有機トランジスタ、有機太陽電池で超一流の“七人の侍”がそろえば、世界一の有機エレクトロニクス拠点としての存在感が増す。

同社では保護回路の中でも小型化のキーパーツで、充放電保護回路のスイッチ用途として使われるMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)の小型薄型化をこれまでも進めてきた。

点火システムは従来のトランジスタ方式ではなく、発火時のエネルギーが小さいCDI方式を採用。

酸化亜鉛の発光ダイオード(LED)を輝度を高めたり、酸化亜鉛でできた透明トランジスタを低い電圧で動作させたりするなど、電子素子の性能向上につながる。

三菱電機は1日、独インフィニオンテクノロジーズと産業機器用インバーター装置に使うIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)モジュールで提携したと発表した。

アルミニウムを用いたボンディングは従来の半導体だけにとどまらず、ハイブリッド車(HV)用パワーコントロールユニットの中の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジ...

イオン注入装置はシリコン膜上のトランジスタにリンなどの不純物を注入する工程に用いる。

UKCはBMEの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)や高機能電力制御モジュール(IPM)を白物家電や産業機器向けに、電池保護ICをリチウムイオン電池向けに販売...

また次世代トランジスタや、曲げられるタッチパネルの電極、100ギガヘルツ(ギガは10億)の高周波増幅器などに利用できる可能性を示唆。

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