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記事検索結果
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日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。
三菱電機は1200ボルト・1200アンぺアと世界最大容量で動作する炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールを開発した。トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSi...
三菱電機は6日、パワー半導体用の4インチ角の炭化ケイ素(SiC)インゴットをウエハーにする際、放電加工で40枚同時にスライス切断する技術を開発したと発表した。... 高硬度なSiCの切...
だが近年は炭化ケイ素(SiC)基板が登場するなど、既存のダイシング装置では切れない材料が出始めたことで、市場性が高まっている」 ―製品の特徴は。 「...
「独創的な技術を持つモノづくり企業を集積したい」と意気込むのは、さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区)社長の中嶋隆さん。... 特に、最も新しい拠点「SIC―3」内の表面技...
【本賞−ローム「“フルSiC”パワーモジュール」】 電力変換時の損失を大幅に削減できる炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に注目が集まる。... 「“フルSiC”パワーモ...
研究会の名称は「SICカイゼン研究会」。... 講義はSICの会議室などで行う。 SICは2008年にカイゼン・マイスターと業務提携。
ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... ブリヂストンは約10年前にSiC単結晶ウエハーの...
SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...
「溶融塩電池やレドックスフロー電池といった蓄電池、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体の研究開発も盛んにやっている。
本賞10点には、シャープ、富士通のほか、アイダエンジニアリングのサーボトランスファープレス、オークマのファイブチューニング機能を搭載した5軸制御立形マシニングセンタ、島津製作所のトリプル四重極型ガスク...
《ローム》“フルSiC”パワーモジュール−電力変換時の損失低減、機器小型化・部品数減 世界で初めてダイオードとトランジスタの両方に炭化ケイ素(SiC)材料を適応したパ...
高純度SiCは素材が硬く、これまでは1ミリメートル以下の微細加工が難しかった。... ただ高純度SiCは非常に硬く、通常、微細加工に使う単結晶ダイヤモンド工具では加工が難しい。そのため微細加工分野では...
ロームは、耐圧1200ボルトで電流容量180アンぺアの炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールを量産すると12日発表した。モジュール内蔵素子をSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した炭化ケイ素(SiC)パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...
今回の研究では、まずn型炭化シリコン(SiC)上に厚さ5ナノメートルの結晶化シリコンと厚さ2ナノメートルのSiCを重ねる。... さらに、SiCを埋め込み量子ドット超格子構造とした。&...
