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記事検索結果
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窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使った世界最高出力の送信用増幅器で、既存のガリウムヒ素製のHEMTを使った増幅器に比べて、出力を16倍に高めた。
▽先端技術部門優秀賞=黒橋禎夫京都大学大学院情報学研究科教授・大規模コーパスの利用による自然言語処理と情報検索の高度化に関する研究▽基礎科学部門優秀賞=染谷隆夫東京大学大学院工学系研究...
トレンチ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)モジュール(写真左)4個と、ショットキーバリアダイオード(SBD)モジュール(同右&...
IGBT、パワートランジスタなど大容量の電力半導体向け冷却器では、従来の沸騰冷却や水冷式に比べてメンテナンスの手間が要らず、信頼性が高いことが評価されている。
東京工業大学の岩井洋教授と早稲田大学の共同研究チームはワイヤ(細線)1本当たり1マイクロアンぺア(マイクロは100万分の1)と低い待機リーク(漏れ)電流...
消費電力は毎秒1ギガビットあたり3ミリワットで、シリコンゲルマニウム製のトランジスタを使った従来の増幅器に比べ、3分の1以下の省電力で動作する。
東北大学流体科学研究所の寒川誠二教授らは産業技術総合研究所と共同で、次世代LSI向けに4端子を持つ新構造のたて型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを開発した。... 高温に加熱する...
三洋電機は26日、リチウムイオン二次電池の充放電時の発熱、劣化を抑える保護回路用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を開発したと発表した。
取り出したCNTは通常のものより細いため新たな物性の発見や、トランジスタなどエレクトロニクス分野の新材料として期待される。 ... CNTを使ってトランジスタをつくる研究では、CNTの欠陥が実...
同LSIでは現行の45ナノメートル世代と同様に、最初にトランジスタのゲートを作り込むゲートファースト技術を採用した。
スタンフォード大のセンサーは、シリコーン樹脂のポリジメチルシロキサン(PDMS)と有機電界効果トランジスタ(FET)を組み合わせた。... スタンフォード大の技術では駆...
また、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)など大電力制御に利用するパワーデバイスは「依然として需要は高い水準にある」(富士電機システムズの柳沢邦昭執行役員)。
米インテルが開発した次世代トランジスタ技術について「高誘電率材料」や「メタルゲート」などをキーワードにして解析した。
伊仏STマイクロエレクトロニクスも11年度にはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を視野に入れる。
