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中央演算処理装置(CPU)の最小単位のトランジスタ。... その一つがナノワイヤをチャンネルに使ったトランジスタ。... トランジスタの材料となるシリコンは、原子が格子状に並ぶ。

ただ、パワー半導体の中でも大電力制御に利用する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)は6割超、小電力の変換に利用するMOSFETでも3割を超える。

実際、GaNパワーデバイスの実用化については、「SiCダイオード、SiCトランジスタ、GaNの順番」(半導体装置メーカー)との見方が支配的だ。

米カリフォルニア大学サンフランシスコ校(UCLA)は、炭素系ナノ材料のグラフェンを使った高速トランジスタを開発した。... さらにトランジスタのソース/ドレーン電極を作るのに...

同社は絶縁ゲート型バイポーラトタンジスタ(IGBT)、パワートランジスタなど大容量の電力半導体向けのヒートパイプ式冷却器を事業化しており、鉄道車両向けの電機品で広く採用されている。

回路に組み込むトランジスタの構造を改良し、従来比3・5倍の140ミリワットの高出力を実現した。... 新構造のインジウム・リン製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発。

微細なシリコンワイヤに電界効果トランジスタ(FET)を組み込み、細胞に差し込む部分をヘアピンのような逆V字型にしてある。

5階建てでフロア面積が1000平方メートル以上ある大型の研究施設に有機太陽電池、有機EL、有機トランジスタの研究チームがそろう。 ... 城戸教授は安価な有機EL照明を実用化し、時任教授には有...

山形大学は2日、有機トランジスタを使った折り曲げ可能なディスプレー開発の第一人者でNHK放送技術研究所部長を務める時任静士(ときとうしずお)氏を、同大工学部の卓越研究教授に招いたと発表...

三菱電機は携帯電話基地局向けに窒化ガリウム(GaN)製のトランジスタ3品種のサンプル出荷を始めた。... 三菱はすでに衛星搭載用のGaN製トランジスタを3月からサンプル供給している。&...

ルネサスエレクトロニクスは実装面積を従来品に比べ半分にした電力制御用パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)2品種のサンプル出荷を8月に始める。

低電圧用途に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を中心に拡販し、成長事業での需要を取り込む。 ... 大電力を制御する絶縁...

大電力を制御する「絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)=写真」と呼ばれるパワー半導体を中心に増産する。

四方常務は「IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の単なる置き換えでないことを考えろ」と指示を出す。

パナソニックは22日、ミリ波での長距離無線通信を可能とした窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 同トランジスタはシリコン基板上にGaNを成長させて生成。......

三菱電機は大電力向けの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)に特に強い。

SiCは自動車機器向けIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などにも適用が見込まれる。

〈一般型〉▽積水化学工業と鶴岡工業高等専門学校など=イオン液体と高分子の複合化による高安全固体電解質の研究開発▽ケイテック(宮城県加美町)と東北大学など=皮膚評価のため...

同ワイヤはシリコンに代わる有望な半導体材料で、次世代の縦型立体構造トランジスタや、高効率の太陽電池へ応用が進むと期待される。... ゲルマニウムをワイヤ構造にすれば縦型のトランジスタが作れるため、集積...

IBM研究所の開発した「DNAトランジスタ」がベース。

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