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その結果が歩留まりやコストの改善につながっている」 【技術開発の方向/「フルSiC」でモジュール】 新電元工業は次世代材料のSiCを使...
炭化ケイ素(SiC)半導体は耐熱性が高いが、デバイスとして実装に使われるはんだが熱に弱いため耐熱性を十分に発揮できない恐れがあった。 そこで銀粒子で接合すればSiCが...
三菱電機は9日、材料に炭化ケイ素(SiC)を用いた家電製品・産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を開発したと発表した。SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD...
「炭化ケイ素(SiC)製の製品はすでに基礎開発が終わった。... SiCはシリコン製に比べて10倍以上高い。
【京都】ロームは汎用性の高い炭化ケイ素(SiC)製の酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を完成、7月に量産する。SiC製ショットキーバリアダイオード&...
【京都】ロームは順方向電圧1・35ボルトと従来品比1割低減した炭化ケイ素(SiC)製ショットキーバリアダイオード(SBD、写真)を完成した。... オン・オフ切り替え時...
半導体チップと外部端子をつなぐ配線として、電気自動車(EV)のモーターや大型蓄電池、開発が進められる炭化ケイ素(SiC)半導体などに利用できる。
炭化ケイ素(SiC)やサファイア基板に比べ、口径の大きい基板が安価。... 調査会社の富士経済によると、GaN系やSiCなどを活用した次世代パワー半導体市場は20年に10年比22倍の1...
三菱電機は23日、パワー半導体をすべてSiC(炭化ケイ素)で構成したフルSiCインバーター(写真)を開発したと発表した。... SiCの能力を引き出した。
炭化ケイ素(SiC)を使った次世代パワー半導体デバイスへの応用が見込め、航空機のエンジンや発電所など高温動作が不可欠な場面への展開が期待できる。 ...
電動車両向けSiCインバーターはまだ実用化されていない。... SiCインバーターは既存のケイ素(Si)インバーターに替わる次世代品。... SiCインバーターは電機メーカーなどとの開...
新電元工業は2013年度に、基板に炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体事業に参入する。... 新設ラインは電流を一方向に流す「ダイオード」をSiCで製造する。... また、13年度...
垣見梨菜さん(27)は三菱電機の先端技術総合研究所(兵庫県尼崎市)で、次世代のパワー半導体として期待される炭化ケイ素(SiC)デバイスのシミュレーション...
(総合1から続く) インバーターなどの性能を左右し、電力を制御するパワーデバイスの次世代材料である炭化ケイ素(SiC)の研究開発に取り組んでいます。....
