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記事検索結果
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スピンメモリーやスピントランジスタなどの次世代素子の開発につながる。... ガリウムヒ素の半導体中に分散する、直径5ナノメートル以下(ナノは10億分の1)のマンガンヒ素ナノ微粒子を使い...
白物家電のモーターを制御するパワーモジュールや、ハイブリッド車(HV)などに搭載するモーターを制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心に増産する...
ルネサスエレクトロニクスは自動車電子制御ユニット向けパワー金属酸化膜半導体電解効果トランジスタ(MOSFET)7品種のサンプル出荷を始めた。
三菱電機は業務無線機の電力増幅器に利用する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET、写真)を7月1日にサンプル出荷する。
このメモリスターにオンオフを制御するトランジスタを組み込む際、高集積化に向く縦型にしたところ、狙った動作と長期安定の抵抗値保持などの特性を得られた。
トランジスタの電極をアンテナに併用する構造を採用した。ガリウムヒ素(GaAs)製のトランジスタと比べて感度は2ケタ向上するという。... 同トランジスタはテラヘルツ波をプラズマ波に変換...
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、ゲルマニウムを使ったトランジスタを開発した。既存のシリコン製トランジスタに比べ、性能の指標となる移動度は約2倍に向上する。
パスゲートトランジスタの絶縁膜に、局所的に電子を注入してパスゲートトランジスタを非対称にする。... パスゲートトランジスタの左右どちらか一方に、セルのバランスを修復するように自動的に電子を注入する。...
従来のMTJ構造は、回路に組み込むトランジスタとの相性に難がある。新構造では書き込み電流の向きが逆になり、トランジスタの電流駆動能力を十分に引き出した。これで、スピン注入型MRAMの課題であったトラン...
東京工業大学の角嶋邦之助教と岩井洋教授は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタに使うゲート絶縁膜を薄くしつつ、漏れ電流の増加を抑える新しいプロセス技術を開発した。トランジスタ...
東京大学大学院工学系研究科の横山正史特任研究員らは、シリコン製トランジスタより3―5倍性能が高い化合物半導体を使ったトランジスタを開発した。... これで世界で初めてトランジスタの動作実証に成功した。...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、トランジスタを多く配置した大規模試験回路(TEG)を用いてトランジスタの...
東芝は低消費電力かつ高性能のLSIの実現に向け、「ナノワイヤートランジスタ」と呼ぶ新しい立体構造素子を国際学会で初めて公表する。トランジスタの速度性能の低下を招く寄生抵抗を減らし、オン電流を従来構造に...
電子回路は能動素子であるトランジスタのほかに、インダクターや容量(コンデンサー)などの受動素子で構成する。... 四つのインダクターを2個ずつ並列に接続した回路構成で、回路の電気的なバ...
産業技術総合研究所は、2013年ごろの実用化が見込まれる22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代LSIの開発に向け、素子特性のバラつきを従来比半分以下に抑えた立体型トランジスタ...
サンケン電気はトランジスタやダイオード、コイルなどの構成部品を1パッケージ化した電源モジュール(写真)を開発した。... トランスやコイルのほか、パワーMOS―FET(金属酸化...
