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記事検索結果
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AlNは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも電力損失が小さく、耐圧が高い可能性を有するという。
大規模研究課題=▽層状無機固体の精密構造制御に基づく新規プロトン伝導体の創製(熊本大学)▽災害医療対応・外傷処置・外傷手術XR遠隔支援システムの開発(北海道大学)...
トレックス・セミコンダクターは76ボルトの電圧に対応した高耐圧型電圧検出器(リセットIC)「XC6138シリーズ」を開発した。... 低耐圧製品で必要だった分割抵抗...
同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...
今年度中に耐圧防爆仕様 中山水熱工業(三重県鈴鹿市、中山慎司社長)の小型Wi―Fi(ワイファイ)振動センサー「コナンエアー=...
(飯田真美子) SiCパワー半導体は一般的なシリコンパワー半導体よりも電力損失を10分の1以下に抑えられ、高い電圧への耐圧・耐熱性に優れている。
ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...
オーブレーは不純物の添加によって電流を流すことが可能な「p型導電性ダイヤモンド基板」の開発を、ミライズは耐圧保持構造の開発などを担う。
電源などを手がける台湾のデルタ電子の関連会社と、650ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発し、量産を始めた。... ロームは2022年から150ボルト耐圧...
入力した電気信号を光信号に変えて、最大7ミリメートルの間隔をとった回路を経て結ぶことで高耐圧の絶縁性を確保した。
パワーデバイスにバンドギャップ(電子が存在できない領域の幅)の大きい酸化イリジウムガリウムが使用可能になり、より高耐圧用途に展開することが期待される。 ... ただ特...
モジュールの小型化に貢献したほか、モジュールを搭載した高耐圧モーターや電源などの高効率動作が可能となった。
これまでに研究グループが独自で開発し、北大発ベンチャーのライラックファーマ(札幌市北区)で販売しているLNP用のマイクロ流体デバイス「iLiNP」を基盤に、耐圧・耐薬品性の高い合成石英...
