記事検索結果

アドバンテスト、次世代DRAM向けテスター出荷（2008/11/27）

アドバンテストは、次世代DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)向け試験検査装置(テスター)「T5503」の出荷を始めた。第3世代規格として標準化さ...

エルピーダ、中国合弁計画を修正−DRAM生産開始先送りも（2008/10/29）

エルピーダメモリは中国江蘇省蘇州市で行うDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の合弁生産計画を修正する方針を明らかにした。

エルピーダ、普及型携帯端末向けDRAMを新興市場に年内投入（2008/9/26）

エルピーダメモリは08年中に、普及型(ローエンドモデル)携帯電話端末向けのDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)を投入する。... 中国やインドな...

深層断面/リーマン・ショックの波紋−米経済の減速に警鐘（2008/9/18）

(尾本憲由) 【半導体】北米の景気減速からデジタル家電やパソコンなどの販売台数が落ち込むと、内蔵されるマイクロプロセッサーやDRAM(記憶保持動作が必要な随時...

需要を読む(6)エルピーダメモリ取締役・安達隆郎氏（2008/9/15）

日本で唯一のDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)メーカーとなったエルピーダメモリ。... また、韓国のDRAM大手2社のうちどちらかのメーカーが、回路線幅を60...

エルピーダ、蘭ASMLとニコンにArF液浸露光装置を発注（2008/8/15）

エルピーダメモリは次世代DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)製造に用いるフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を、オランダのASMLとニコンに発注...

エルピーダ、2012年に相変化膜利用の半導体メモリーを事業化（2008/6/4）

エルピーダメモリは2012年に、熱変化によりデータ書き込み・消去を行う相変化膜を用いた半導体メモリー「PRAM(フェーズチェンジメモリー)=用語参照」を市場投入する方針を明らか...

エルピーダ、50ナノの先端DRAMから銅配線を全面採用（2008/5/29）

エルピーダメモリは09年初頭に量産を始める回路線幅50ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した先端DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)...

DRAM各社、業績悪化−供給過剰で製造原価割れ（2008/4/25）

DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)メーカーの業績が悪化している。... パソコンのメーンメモリーなどに用いるDRAMは必要な量を買い付けるスポット(当...

点検・設備投資08/半導体(2)稼働率向上に比重移す（2008/4/16）

半導体産業の中でも毎年の設備投資が巨額になるのがメモリー系メーカー。パソコンのメーンメモリーに用いるDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)や、各種携帯機器の記憶素...

エルピーダメモリは、パソコンのメーンメモリーなどに用いるDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の相対取引で、海外のパソコンOEM(相手先ブランド)...

提携先である台湾の聯華電子(UMC)と連携を取りながら、ファウンドリー事業を主力事業のDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)と並ぶ柱に育成していく...

エルピーダ、DRAM20%値上げ−生産・在庫調整進み交渉入り（2008/4/2）

エルピーダメモリは、パソコンのメーンメモリーなどに用いるDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の相対取引で、値上げ交渉に入ったことを明らかにした。

エルピーダメモリ、DRAMの中国委託生産打ち切り（2008/3/25）

エルピーダメモリは中国の半導体受託製造会社、中芯国際集成電路製造(SMIC、上海)に委託していたDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)生産を打ち切...

東芝、45ナノ世代LSI用SRAM回路向け消費電力半減する技術開発（2008/2/7）

東芝は45ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のシステムLSIに組み込むSRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー)回路向けに、消費電力を半減でき...

東芝、1.6倍の高速動作するシステムLSI混載DRAM回路技術を開発（2008/2/7）

東芝は6日、実用水準の32メガバイト(メガは100万)容量で、833メガヘルツと従来比約1・6倍以上の高速で動作するシステムLSIに組み込むDRAM(記憶保持動作が必要な随時書...