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GaAs膜は透明樹脂のフレキシブル基板に転写され、太陽電池、イメージセンサー、トランジスタアレイなどに使われる。

現在はダイオードでの採用が多いが、ロームや三菱電機などのパワー半導体メーカーはこぞって金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IG...

窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、C帯―Ku帯(6ギガ―18ギガヘルツ)で動作する高出力増幅器を開発した。... さらに、搭載するトランジスタ...

同アンプは真空管に近い特性の電界効果トランジスタ(FET)素子を用いた独自の電気増幅回路を持つフォノ用イコライザーアンプ。従来アンプの回路はトランジスタとFET素子に別々の電圧がかかる...

だが、電圧を下げるとトランジスタの動作時に急な電流変化が起こり、発生するノイズが回路の誤動作を招く恐れがある。

その後、15年以降に金属酸化膜型電界効果トランジスタ(MOSFET)をSiC化する方針。

北米で主流のV6エンジンを組み合わせた大型車用のHVシステムも検討する」 ―HV用インバーターに内蔵する絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を内製する考えはあります...

(敬称略) ▽大久保寛・首都大学東京准教授「超高速解析手法を用いた超音波イメージングに関する研究」▽加藤正史・名古屋工業大学准教授「ワイドギャップ半導体省エネルギーデバイス実用...

米カリフォルニア大学マーセッド校などのグループは生体細胞の仕組みを電気回路のゲートに応用した「たんぱく質トランジスタ」を開発した。

【広島】広島大学はトヨタ自動車、豊田中央研究所と共同で、車載用IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)用のシミュレーションモデルを開発した。... 従来はIGBTを構成するバイポ...

ロームは今秋にSiC製金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの量産を予定し、パワーモジュールの開発も進める。

NTTが化合物半導体トランジスタの構造を改良し、送信出力を従来比2倍の40ミリワットに向上したミリ波増幅器を開発。

有機エレクトロ・ルミネッセンス(EL)ディスプレーや有機太陽電池、有機トランジスタなどの有機エレクトロニクス分野のデバイス開発が加速する。

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心にパワー半導体の生産を増やすほか、炭化ケイ素(SiC)を活用した低損失次世代パワー半導体も製品化する。

また大きな径を利用してほかの分子を中に詰めたり、シート状につぶしてトランジスタに使うなどの展開も見込める。

現在のLSIのトランジスタが採用する金属酸化膜半導体(MOS)構造を、シリコンの光集積回路に導入する。

IPMは絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を使用したチップと駆動回路、各種保護回路などを一つのパッケージに収めた電力用半導体素子。

トランジスタや発光ダイオード(LED)などディスクリート半導体向けの需要を狙う。

日本発の垂直磁化方式という技術を使い、素子幅を狭くすることで書き込み電流が減り、トランジスタを小さくでき、微細化でギガビット級の大容量化にめどがつく。

▽やまや(豊橋市)=店内のいけすで釣った料理の提供▽丸洋建設(西尾市)=業務用生ごみ処理機の販売事業に進出▽山幸(名古屋市熱田区)...

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