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記事検索結果
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構造内にデータを保存する窒化シリコン膜などを挟むと、メモリーとして機能する。 ... 直線型ではこれまで底面のメモリー膜を除去する工程が必要で、メモリー膜にダメージを与える課題があった。...
1230万画素ハイスピードライブ金属酸化膜半導体(MOS)センサーや新たに開発した画像処理用LSIの採用で、従来品と同等の高画質を実現した。
トランジスタ性能を決める電子移動度が高く、従来の二酸化シリコン膜と等価な電気的膜厚に換算したゲート絶縁膜の膜厚(等価酸化膜厚)を薄くする、両性能を両立した。16ナノメートル世代に求めら...
銅線は電気抵抗が低く、熱伝導性に優れるが、製造過程の酸化抑制が難しく、これまでは採用範囲をローエンドの民生品向けパッケージに限定していた。... NECエレは現在、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
また、欧州などで高い実績を持つメタプラスの物理気相成長(PVD)、プラズマ窒化、酸化膜付加処理窒化などで処理したサンプル品も出品し、対応力を売り込む。
産業用インバーターやモーター駆動装置、スイッチング電源装置などの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)駆動などに適しているという。
ベーキングとは、材料の結晶化の安定性向上や酸化膜の接着性向上のために、100度C以上の電気炉で数十時間放置するプロセスをいう。
今回の提携に基づきUMCJの直径8インチ、回路線幅0・35マイクロメートル(マイクロは100万分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスに、新日本無線が持つ異...
キヤノン電子製の同スキャナーは赤、緑、青色(RGB)を同時に読み込める相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用し、各色を別々に読み取っていた従来品と比べてスキャ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成でき、将来はパネル上に演算やメモリーなど多機能を搭載するシステム・オン・パネル(SoP)の実現に期待がかかる。... 酸化物半導...
三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は2日、携帯電話に適した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し、5月からサンプル...
この技術を活用し、縦7・3ミリ×横5・5ミリ×厚さ0・6ミリメートルチップの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを試作した。
熱がかかることで生じる光素子の特性変化を約3割抑え、酸化防止にもなる。 ... それを金薄膜ではさみ酸化を抑える3層構造を採用した。... また、光素子表面の酸化膜を除去する処理が必要で、処理...