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また、強誘電体トランジスタ1個と普通のトランジスタ1個の計2個のトランジスタを追加。

最先端LSIのトランジスタのチャネル接合部の評価に適用すると、電位分布と結晶欠陥の位置関係がナノ寸法で分かる。

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、8ギガ―12ギガヘルツ(X帯、ギ...

増幅器にはインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使う。

電界効果トランジスタ(FET)や熱電材料など、新たな電子機能を持つ分子性デバイス開発につなげる。

サンケン電気は、放熱板の取り付け面積を従来品に比べ約40%削減したIHクッキングヒーター向け絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を5月下旬にサンプル出荷する。

以降、TVブラウン管用、トランジスタ用、LSI用、液晶テレビ用リード線の製造を行い、時代の変化に対応して技術を進歩させてきた。

シートなので切り刻んでトランジスタをつくれるなどCNTより扱いやすい。... 今後は多数のトランジスタの作成法研究を進めるという。 ... また、米IBMは、グラフェンを重ね合わせたグラファイ...

広島大は世界標準化を目指す次世代トランジスタ「HiSIM」やバイオセンサーなど、新産業分野での研究開発に力を入れる。

その後、『トランジスタでも使えそう』などと用途が見えてきて応用研究が進み、いまに至っている」 ―長い時間を経て、基礎・応用研究は順調に進んでいるのでしょうか。

▽トランジスタモデルの開発と国際標準化の実現=三浦道子広島大学大学院先端物質科学研究科教授▽分子が拓く未来エレクトロニクス=山口茂弘名古屋大学大学院理学研究科教授▽クローン技術の価値と...

産業用インバーターやモーター駆動装置、スイッチング電源装置などの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)駆動などに適しているという。

(敬称略) ▽上田貴史(島根大院生)「中低廃熱源から発電するZn4Sb3熱電半導体の単相合成」▽大竹充(中央大院生)「エピタキシャル磁性薄膜形成...

カーボンナノチューブ(CNT)で強度を高めた伸縮性の導体を有機トランジスタの配線に応用。... 有機トランジスタと有機EL素子を伸縮性導体の配線で集積化した。1画素は有機EL1個、有機...

東京大学生産技術研究所の平川一彦教授、梅野顕憲特任助教らは、単一分子トランジスタを効率的に作製することに成功した。... 単一分子トランジスタは単体で多くの機能を持つほか、集積回路に作り込めれば量子コ...

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個と駆動用ICを1パッケージ化した。

約2年間にトランジスタの集積度が倍増するという“ムーアの法則”が限界に近づいているという。... 90年代半ばは130ナノメートル程度だったので隔世の感だ▼トランジスタが誕生した60数年前、1チップに...

出力数32点と同64点のトランジスタ出力モジュールと、入出力数32点の直流24ボルトと同12ボルトのトランジスタ入出力モジュール、計4機種。

再生した鉛蓄電池に関西電機工業(大阪府東大阪市)と共同開発した絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)ユニット、外部調達した太陽光発電パネルなどを組み合わせて製品...

三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は2日、携帯電話に適した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し、5月からサンプル...

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