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記事検索結果
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GaNでは難しいノーマリオフ型FETの試作にこぎつけ、目標としていた金属酸化膜半導体(MOS)―FETの50分の1のオン抵抗を達成した。
【キヤノン】普及価格帯で35ミリメートルフルサイズの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーとフルハイビジョン(フルHD)動画撮影機能を搭載し、デジタル一眼レフカメラ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー前工程の熊本テクノロジーセンター(熊本県菊陽町)は、前回の年末年始に9日間停止しており、今回はライン稼働日数が増える。
熊本では相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの増強を進め、第5期増強までに600億円近くを投入、同2万枚程度に引き上げた。
n型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの絶縁膜に、新たに希土類元素のイットリウムを導入する。... セリートは次世代の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に、金属電極...
新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の研究プロジェクトは、LSI内のトランジスタ配線間を電気的に分離するために、多孔質シリコン酸化膜(ポーラスシリカ)を採用し...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)はゲート電極や絶縁膜は従来材料のままで、32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の微細LSIに...
シリコン酸化膜に換算した電気的に等価な膜厚である等価換算膜厚(EOT)で、世界初の0・37ナノメートル(ナノは10億分の1)のゲート絶縁膜を持つMOS型電界効果トランジ...
ニコンは1日、35ミリメートルフィルムサイズ相当の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、有効画素数2450万画素を実現したデジタル一眼レフカメラのプロ用最高級機「ニコンD...
水酸化フラーレンの強い化学反応性による試料表面の酸化膜の変化により、化学的、機械的に除去しやすい膜を生成すると見られる。... C60(OH)36を用いた場合、研磨時の銅基板の表面組成...
半導体ウエハーに加えて、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーや発光ダイオード(LED)、微小電気機械システム(MEMS)などの検査向けに需...
台湾では、カメラ付き携帯電話端末向け相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの検査用で需要が増加しており、今後は高輝度発光ダイオード(LED)や微小電気機械シ...
ソニーは13日、携帯電話用に有効画素数1225万の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー「Exmor」を商品化したと発表した。
