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記事検索結果
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だが、かつて日本のビジネスマンたちはトランジスタ・ラジオの商人といわれたが、アフリカの奥地の住人にとっては文明情報に接する見えない社会貢献だったともいえる」 「日本人が持つ“もったいない精神”...
基本素子に化合物半導体の一つであるインジウム・リン(InP)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用することで、43ギガビット動作時に消費電力1・1ワットと高速動作と...
このため、半導体メーカーは技術ロードマップに沿って2年ごとに回路の微細化を進め、トランジスタの集積度を増してきた。
「トランジスタの発明後、ソニーの技術者が米国の工場でその製造技術を学んだ際、図の報告書を日本に送ったという。
1等賞は「有機トランジスタによるフレキシブル大面積センサとアクチュエータ応用」に取り組む東京大学工学系研究科の染谷隆夫准教授で、ほかに4人が選ばれた。
「ハイブリッド車向けはほかの分野と比べて落ち込み幅は小さく、大電流を流せる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などが継続して出ている。
次世代プロセス採用により、トランジスタ集積度を従来の2倍近くに高められるため、量産するMPU「Westmere」(開発コード名)では、画像処理(グラフィックス)機能を同...
NECエレクトロニクスは薄型パッケージを採用した金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)4品種のサンプル出荷を始めた。
ハイブリッド車(HV)に加えて、09年度から太陽光発電や風力発電などのプラント向けにも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を投入する。
コントロールICと金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個を1パッケージに収めたマルチチップパッケージを採用し、自動実装を可能にした。
NECは17日、大面積に印刷技術で作製できるカーボンナノチューブ(CNT)トランジスタを開発したと発表した。 従来はチャネル形成など一部だったが、今回、CNTトランジスタすべて...
新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。
三菱電機もHVのモーターを制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の最大手だが、2010年からパワー半導体素子にシリコンカーバイド(SiC)を使ったモジュ...
半導体回路は「2年でトランジスタの集積度が倍になる」とするムーアの法則に沿って微細化が進展。... さらに、これら工程開発の前にトランジスタ構造などの基礎研究が必要になる。... トランジスタのゲート...
